PN8680PSEC-R1

Chipown
Chipown PN8680P 超低待机功耗原边反馈交直流转换器 概述 PN8680P集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8680P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗 （230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输 出线补偿功能能使系统获得较好的负载调...
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Технические характеристики

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Корпус SO-8 SOIC8
Топология
Максимальное напряжение силового ключа
Максимальный ток силового ключа
Номинальная мощность
Ток собственного потребления
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Файлы 1

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Chipown PN8680P 超低待机功耗原边反馈交直流转换器 概述 PN8680P集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8680P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗 （230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输 出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供 了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。 应用领域 ■ 开关电源适配器 ■ 电池充电器 ■ 机顶盒电源 输出特性 产品特征 ■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET ■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC） ■ 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准 ■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度 ■ 原边反馈可省光耦和TL431 ■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调 ■ 无需额外补偿电容 ■ 无音频噪声 ■ 智能保护功能 封装/订购信息 订购代码 典型功率 封装  过温保护 (OTP)  VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)  逐周期过流保护 (OCP) 注：最大输出功率是在环境温度 45℃的密闭式应用情形下  CS开/短路保护 (CS O/SP） 测试。  开环保护 (OLP) 85~265VAC PN8680PSEC-R1 SOP-8 15W 典型应用 VDD OTP Block FB GND www.chipown.com DC Output Snubber AC 85~265V SUPPLY &UVLO CC/CV control Cable comp SW HV Startup PW M Switch & Gate Driver OCP CS © 2019 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1906 2019 年 6 月 1 / 11 PDF
Документация на серию PN8680P 

Microsoft Word - PN8680P datasheet中文版Rev.A 1906

Дата модификации: 28.06.2023

Размер: 452.9 Кб

11 стр.

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    AP8012HSEC-R1 (CHIPOWN)