CRG30T60AK3HD

CR Micro
Silicon FS Trench IGBT CRG30T60AK3HD General Description ： VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 30 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching Ptot （TC=25℃） 156 W performances. RoHS Compliant. VCE(sat) 1.75 V TO-247 Features： ● FS Trench Technology, Positive temperature coefficient ● Low saturation voltage： VCE(s...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= DGW60N65BTH (YJ)
 
—
P= NCE30TD60BT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
P= CGWT40N65F2KAD (JSCJ)
 
TO-247-3
 
P= DG30X07T2 (STARPWR)
 
TO-247-3
 

Файлы 1

показать свернуть
Silicon FS Trench IGBT CRG30T60AK3HD General Description ： VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 30 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching Ptot （TC=25℃） 156 W performances. RoHS Compliant. VCE(sat) 1.75 V TO-247 Features： ● FS Trench Technology, Positive temperature coefficient ● Low saturation voltage： VCE(sat),TYP=1.75V @IC=30A,VGE=15V； Applications ● Welding ● Solar Inverter ● UPS Package Parameters Type Marking Package Packing CRG30T60AK3HD G30T60AK3HD TO-247 Tube W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Page 1 of9 2 0 2 2 V0 1 PDF
Документация на CRG30T60AK3HD 

产品特点：

Дата модификации: 18.01.2022

Размер: 1.18 Мб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.