DGW60N65BTH
DGW60N65BTH
RoHS
COMPLIANT
IGBT Discrete
VCE
650
V
IC
60
A
VCE(SAT)
IC=60A
2.10
V
Applications
High frequency switching application
Medical applications
Uninterruptible power supply
Motion/servo control
Circuit
Features
Low switching losses
Maximum junction temperature 175℃
Positive temperature coefficient
High ruggedness, temperature stable
High short circuit capability(...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: IGBT транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьНапряжение К-Э максимальное | ||
---|---|---|
Ток коллектора максимальный при 25°C | ||
Напряжение насыщения К-Э | ||
Тип |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернутьФайлы 1
показать свернуть
Документация на DGW60N65BTH
Microsoft Word - DGW60N65BTH
Дата модификации: 19.05.2022
Размер: 437.3 Кб
8 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.