CRJF190N65G2BF-12-Z

CR Micro
CRJF190N65G2 SJMOS N-MOSFET 650V, 150mΩ, 20A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology VDS,min 650V • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency RDS(on),typ 150mΩ • Better efficiency due to very low FOM ID 20A • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC Applications 100% DVDS Tested • LED/LCD/PDP TV and mon...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD2065100B7GH (YJ)
 
TO2637 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ YJD2065100NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ YJD2065100NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ WMJ26N65C2 (WAYON)
 
TO-247-3 — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRJF190N65G2 SJMOS N-MOSFET 650V, 150mΩ, 20A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology VDS,min 650V • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency RDS(on),typ 150mΩ • Better efficiency due to very low FOM ID 20A • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC Applications 100% DVDS Tested • LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Tested • Solar/Renewable/UPS-Micro Inverter System • Charger • Power Supply Top view Bottom view Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRJF190N65G2 CRJF190N65G2 TO-220F Tube N/A N/A 50pcs Symbol Value Unit VDS 650 V ID 20 A Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current 1) TC = 25°C TC = 100°C 12 2) ID,pulse 80 A EAS 210 mJ dv/dt 50 V/ns Gate-Source voltage VGS ±30 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 24 W IS 20 A (TC = 25°C) IS,pulse 80 A 3) dv/dt 50 V/ns Tj , Tstg -55...+150 °C Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tj,max) Avalanche energy, single pulse (L=30mH) MOSFET dv/dt ruggedness Continuous diode forward current(TC = 25°C) Diode pulse current 2) Recovery diode dv/dt Operating junction and storage temperature 1) Limited by Tj,max. Maximum Duty Cycle D = 0.50;TO-220 equivalent 2) Pulse width tp limited by Tj,max 3) Identical low side and high side switch with identical Rg Rev2.0 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRJF190N65G2BF-12-Z 

CRJF190N65G2 Datasheet V2.0B.xlsx

Дата модификации: 17.08.2023

Размер: 1.29 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)