2N7002

Yangjie
LS: 13 3 3 1 Транзистор биполярный
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ 2N7002 (JSCJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P= 2N7002 (DC)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= 2N7002 (SHIKUES)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 ± — — — —
P= 2N7002G (SHIKUES)
 
SOT-23-3 150 шт
 
 ± — — — —
P= 2N7002G-AE2-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- 2N7002T (JSCJ)
 

2N7002T (ONS-FAIR) 		SOT-523
 
 ± — — — — —
P- 2N7002K (NCE)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- 2N7002 (YOUTAI)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — —
P- 2N7002B (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — —
P- 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- 2N7002KW (JSCJ)
 

2N7002KW (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — —
P- BSS159N (JSMICRO)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- 2N7002-G (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3 — — —
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
— в ленте 300 шт
 
 — — —
A+ 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
A+ 2N7002K (KEENSIDE)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		—
 
 — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS COMPLIANT 2N7002 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 340mA ＜2.5ohm ＜3.0ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 340 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 272 Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 350 mW RθJA 357 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 2N7002 F2 7002. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E041 Rev.3.0,12-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 2N7002 

Microsoft Word - 2N7002-V3.0

Дата модификации: 03.10.2022

Размер: 849.6 Кб

6 стр.

RoHS 2N7002 COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 340mA ＜2.5ohm ＜3.0ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 340 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 272 Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 350 mW RθJA 357 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 2N7002 F2 7002. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-S1631 Rev.2.0,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 2N7002 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 11.07.2019

Размер: 602.8 Кб

6 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    01 декабря
    новость

    Дискретные полупроводниковые решения от азиатских производителей для любых задач

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Дискретные компоненты – основа любой схемотехники. От правильно подобранных диодов, транзисторов и стабилитронов может зависеть надежность и эффективность всей системы. Сегодня рынок предлагает большой выбор дискретов,... ...читать

    16 июля 2024
    статья

    Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7000 (DC)