2N7002

SUNCOYJ
LS: 13 3 3 1 Транзистор биполярный
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ 2N7002 (JSCJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P= 2N7002 (DC)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= 2N7002G-AE2-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= 2N7002 (SHIKUES)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 ± — — — —
P= 2N7002G (SHIKUES)
 
SOT-23-3 150 шт
 
 ± — — — —
P- 2N7002T (JSCJ)
 

2N7002T (ONS-FAIR) 		SOT-523
 
 ± — — — — —
P- 2N7002B (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — —
P- 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- 2N7002KW (JSCJ)
 

2N7002KW (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 1330 шт — — —
P- 2N7002 (YOUTAI)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — —
P- 2N7002-G (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
A+ 2N7002A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
— в ленте 300 шт
 
 — — —
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3 — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS COMPLIANT 2N7002 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 340mA ＜2.5ohm ＜3.0ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 340 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 272 Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 350 mW RθJA 357 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 2N7002 F2 7002. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E041 Rev.3.0,12-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 2N7002 

Microsoft Word - 2N7002-V3.0

Дата модификации: 03.10.2022

Размер: 849.6 Кб

6 стр.

RoHS 2N7002 COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 60V 340mA ＜2.5ohm ＜3.0ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 340 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 272 Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 350 mW RθJA 357 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 2N7002 F2 7002. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-S1631 Rev.2.0,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 2N7002 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 11.07.2019

Размер: 602.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7000 (DC)