CRTT150N15N

CR Micro
CRTT150N15N Trench N-MOSFET 150V, 10mΩ, 93A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS 150V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 10mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 93A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Battery managemen...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WMK198N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= WMK190N15HG4 (WAYON)
 
—
 
P- WMK115N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK115N15HG4 (WAYON)
 
— в линейках 50 шт
 
P- NCEP1580 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- IRFB4321PBF (JSMICRO)
 

IRFB4321PBF (INFIN) 		TO-220-3
 
P- JMSH1513AC (JIEJIE)
 
—
 
P- YJP90G15A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- IRFB4321PBF-VB (VBSEMI)
 
—
 

Файлы 1

показать свернуть
CRTT150N15N Trench N-MOSFET 150V, 10mΩ, 93A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS 150V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 10mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 93A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninterrupible Power Supplies) Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package CRTT150N15N CRTT150N15N TO-220 Packing Tube Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 50pcs Symbol Value Unit VDS 150 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) TC = 25°C (Package limit) ID TC = 100°C (Silicon limit) Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) 93 160 A 59 ID pulse 372 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS 272 mJ Gate-Source voltage VGS ±25 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 254 W Tj , T stg -55...+150 °C Tsold 260 °C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, wave soldering only allowed at leads (1.6mm from case for 10s) ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRTT150N15N 

CRTT150N15N Keywords:

Дата модификации: 05.08.2019

Размер: 511.4 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.