2N6517

Транзистор биполярный; NPN; 350 В; 0.5 A; 40...200 МГц; hFT 30...200; 680 мВт; TO-92
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. 2N7000 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Description Designed for low voltage and low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications. TO-92 Pinning .190(4.83) .170(4.33) 1 = Source 2 = Gate 3 = Drain o 2 Typ .190(4.83) .170(4.33) o 2 Typ Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage Characteristic VDSS 60 V Drain-Gate Voltage (RGS=1MΩ) VDGR 60 V Gate-Source Voltage (Continuous) VGS o Drain Current (Continuous, TC=25 C) Drain Current (Pulsed) 20 ID (1) 200 mA IDM 500 mA PD 350 2.8 mW o mW/ C Operating Junction Temperature TJ -55 to+150 Maximum Lead Temperature, for 10 Seconds Solding Purpose TSTG -55 to+150 TL 300 .022(0.56) .014(0.36) .050 Typ (1.27) V Total Power Dissipation o Derate above 25 C Storage Temperature .500 Min (12.70) .100 Typ (2.54) 3 2 1 o .022(0.56) .014(0.36) .148(3.76) .132(3.36) .050 o o 5 Typ. 5 Typ. (1.27) Typ C o C o C Dimensions in inches and (millimeters) Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 60 - - V Test Conditions ID=10µA, VGS=0 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS - - 1 µA VDS=48V, VGS=0 Gate-Sourse Forward Leakage Current IGSSF - - 10 nA VGSF=15V, VDS=0 Gate-Sourse Reverse Leakage Current (1) Gate Threshold Voltage On-State Drain Current (1) (1) Static Drain-Source On-State Voltage (1) Static Drain-Source On-State Resistance (1) Forward Transconductance IGSSR - - -10 nA VGSR=-15V, VDS=0 VGS(th) 0.8 - 3 V VDS=3V, ID=1mA ID(on) 75 - - mA VDS=4.5V, VDS=10V VDS(on)1 - - 0.45 V ID=75mA, VGS=4.5V VDS(on)2 - - 2.5 V ID=500mA, VGS=10V RDS(on)1 - - 6 Ω ID=75mA, VGS=4.5V RDS(on)2 - - 5 Ω ID=500mA, VGS=10V gFS 100 - - µS VDS=10V, ID=200mA Input Capacitance Ciss - - 60 pF Output Capacitance Coss - - 25 pF Reverse Transfer Capacitance Crss - - 5 pF Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA - - 357 (1)Pulse Test: Pulse Width 380µs, Duty Cycle 2% o C/W VDS=25V, VGS=0, f=1MHZ - PDF
Документация на 2N6517 

Дата модификации: 06.12.2002

Размер: 215.2 Кб

1 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.