2N3904

DC COMPONENTS CO., LTD. 2N3904 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose switching and amplifier applications. TO-92 Pinning .190(4.83) .170(4.33) 1 = Emitter 2 = Base 3 = Collector o 2 Typ .190(4.83) .170(4.33) o 2 Typ .500 Min (12.70) Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Characteristic Symbol Ra...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= 2N3904 (JSCJ)
 

2N3904 (ONS-FAIR)
TO-92-3 2000 шт
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. 2N3904 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose switching and amplifier applications. TO-92 Pinning .190(4.83) .170(4.33) 1 = Emitter 2 = Base 3 = Collector o 2 Typ .190(4.83) .170(4.33) o 2 Typ .500 Min (12.70) Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 60 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 200 mA Total Power Dissipation PD 625 mW Junction Temperature TJ +150 o Storage Temperature TSTG -55 to +150 o .022(0.56) .014(0.36) .050 Typ (1.27) .022(0.56) .014(0.36) .100 Typ (2.54) 3 2 1 .148(3.76) .132(3.36) .050 o o 5 Typ. 5 Typ. (1.27) Typ C Dimensions in inches and (millimeters) C Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Symbol Min Typ Max Unit Collector-Base Breakdown Volatge Characteristic BVCBO 60 - - V Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO 40 - - V IC=1mA, IB=0 Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO 6 - - V IE=10µA, IC=0 Collector Cutoff Current (1) Collector-Emitter Saturation Voltage (1) Base-Emitter Saturation Voltage (1) DC Current Gain Test Conditions IC=10µA, IE=0 ICEX - - 50 nA VCE=30V, VBE=3V VCE(sat)1 - - 0.2 V IC=10mA, IB=1mA VCE(sat)2 - - 0.3 V IC=50mA, IB=5mA VBE(sat)1 0.65 - 0.85 V IC=10mA, IB=1mA VBE(sat)2 - - 0.95 V IC=50mA, IB=5mA hFE1 40 - - - IC=0.1mA, VCE=1V hFE2 70 - - - IC=1mA, VCE=1V hFE3 100 - 300 - IC=10mA, VCE=1V hFE4 60 - - - IC=50mA, VCE=1V hFE5 30 - - - IC=100mA, VCE=1V Transition Frequency fT 300 - - MHz Output Capacitance Cob - - 4 pF (1)Pulse Test: Pulse Width 380µs, Duty Cycle 2% IC=10mA, VCE=20V, f=100MHz VCB=5V, f=1MHz, IE=0 PDF
Документация на 2N3904 

Дата модификации: 08.12.2023

Размер: 214.8 Кб

1 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.