DB105S

DC Components
Диод: 600 В, 1 А, мост
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид DB104S

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DB1S
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= DB105S T/R (DC)
 
DB1S в ленте 1500 шт
 
 — — — — — —
F~ DB107S (YJ)
 
DB1S в ленте 1500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
F~ DB107S (DC)
 
DB1S в линейках 50 шт
 
 — —
F~ DB106S (DC)
 
DB1S в линейках 50 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
DB101S DC COMPONENTS CO., LTD. R THRU RECTIFIER SPECIALISTS DB107S TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 1.0 Ampere FEATURES * * * * Surge overload rating - 30 Amperes peak Ideal for printed circuit board Reliable low cost construction Glass passivated junction DB-1S MECHANICAL DATA * * * * * * Case: Molded plastic Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant Terminals: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed Polarity: Symbols molded or marked on body Mounting position: Any Weight: 0.38 gram MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 o C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Dimensions in inches and (millimeters) SYMBOL DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S UNITS 400 600 800 1000 Volts 140 280 420 560 700 Volts 200 400 600 800 1000 Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 50 100 200 Maximum RMS Bridge Input Voltage VRMS 35 70 Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 100 o Maximum Average Forward Output Current at T A = 40 C Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) 1.0 Amps I FSM 30 Amps VF 1.1 Volts Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 1.0A DC o Maximum DC Reverse Current at rated @T A = 25 C DC Blocking Voltage per element @T A = 125 o C IR 10 I 2t Rating for Fusing (t<8.3ms) I2t 10 CJ 25 RθJ A 40 Operating and Storage Temperature Range uAmps 500 Typical Junction Capacitance ( Note1) Typical Thermal Resistance (Note 2) Volts IO T J, T STG A 2 Sec pF 0 -55 to + 150 C/W 0 C NOTES : 1.Measured at 1 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 volts 2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (13x13mm) copper pads. 362 EXIT EXI BACK NEXT BACK EXIT NEXT BACK NEXT PDF
Документация на DB105S 

Дата модификации: 17.01.2005

Размер: 429.4 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    B6S (DC)