DB106

DC Components
Диод: 800 В, 1 А, мост
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид DB107

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DB1
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P+ DB107 (DC)
 

DB107 (DIODES) 		DB1 в линейках 50 шт —
P+ DB106 (YJ)
 
— в линейках 50 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1A, 800V V(RRM)

Файлы 1

показать свернуть
DB101 DC COMPONENTS CO., LTD. R THRU RECTIFIER SPECIALISTS DB107 TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 1.0 Ampere FEATURES * * * * * Good for automation insertion Surge overload rating - 50 Amperes peak Ideal for printed circuit board Reliable low cost construction Glass passivated junction DB-1 MECHANICAL DATA * * * * * * Case: Molded plastic Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant Lead: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed Polarity: Symbols molded or marked on body Mounting position: Any Weight: 0.4 gram MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 o C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Dimensions in inches and (millimeters) SYMBOL DB101 DB102 DB103 DB104 DB105 DB106 DB107 UNITS Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 Volts Maximum RMS Bridge Input Voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 Volts Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum Average Forward Output Current at T A = 40 oC Volts IO 1.0 Amps I FSM 50 Amps VF 1.1 Volts Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum Forward Voltage Drop per element at 1.0A DC Maximum DC Reverse Current at Rated @T A = 25 oC DC Blocking Voltage per element @T A = 125 o C IR 10 I 2t Rating for Fusing (t<8.3ms) I2t 10 Typical Junction Capacitance ( Note1) CJ 25 RθJ A 40 T J,TSTG -65 to + 150 Typical Thermal Resistance (Note 2) Operating and Storage Temperature Range uAmps 500 A 2 Sec pF 0 C/W 0 C NOTES : 1.Measured at 1 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 volts 2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (13x13mm) copper pads. 184 NEXT BACK NEXT EXIT BACK PDF
Документация на DB106 

Дата модификации: 17.01.2005

Размер: 380.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    B6S (DC)