S1A

DC Components
Диод выпрямительный , производства DC Components (DC)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид EGF1T-E3/67A

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= ES3D (YJ)
 

ES3D (DIODES) 		DO214AB в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
P= EFMB204 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
 — — — —
P= MURS120-B (ANBON)
 
DO214AA
 
 — — — — — — — — — — —
P= EFMC304 (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
 — — — —
P= MURS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= ES3D-C (ANBON)
 
DO214AB
 
 — — — — — — — — — — —
P= ES3DCG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
 — — — — — —
P= S1D (DC)
 

S1D (SMCMICRO)
S1D (ONS-FAIR) 		DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — —
P= S1B (DC)
 

S1B (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AA] — — — — — — — — — — —
P= S1DFSHMWG (TSC)
 
—
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
P= FM403 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
 — — — — —
P= S1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
 — — — — — — —
P= S1D (TSC)
 

S1D (SMCMICRO)
S1D (ONS-FAIR) 		DO214AC 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC] — — —
P= RS1DF3G (TSC)
 
— — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= EFMB340 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
S1A DC COMPONENTS CO., LTD. R THRU RECTIFIER SPECIALISTS S1M TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 1.0 Ampere FEATURES * ldeal for surface mounted applications * Low leakage current * Glass passivated junction SMB ( DO-214AA ) .083(2.11) .075(1.91) MECHANICAL DATA * Case: Molded plastic * Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant *Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 * Polarity: As marked * Mounting position: Any * Weight: 0.093 gram .185(4.70) .160(4.06) .060(1.52) .030(0.76) .220(5.59) .200(5.08) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS o Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Dimensions in inches and (millimeters) SYMBOL S1A S1B S1D S1G S1J S1K S1M UNITS Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 Volts Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 Volts VDC 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current at TA = 75 oC IO Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC Maximum DC Reverse Current @T A = 25 o C at Rated DC Blocking Voltage @T A = 100 o C Maximum Reverse Recovery Time (Note 3) Typical Thermaesistance (Note 2) Typical Junction Capacitance (Note 1) Operating and Storage Temperature Range Volts 1.0 Amps I FSM 30 Amps VF 1.1 IR 5.0 Volts uAmps 100 trr 2.5 RθJL 12 CJ 30 T J, T STG -65 to + 175 uSec 0 C/ W pF 0 C NOTES : 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts. 2. Thermal Resistance (Junction to Ambient), 0.2x0.2in2 (5X5mm2 ) copper pads to each terminal. 3. Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A. 342 EXIT EXI BACK NEXT BACK EXIT NEXT BACK NEXT PDF
Документация на S1B 

ChipFind - Manufacturer datasheet and components documentation Datasheet Manufacturer application notes

Дата модификации: 23.04.2006

Размер: 422.9 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    LL4148 (YJ)