ES3D

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 3 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 60 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MURS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= ES3DCG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
 — — — — — —
P= EFMC304 (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
 — — — —
P= ES3D-C (ANBON)
 
DO214AB
 
 — — — — — — — — — — —
P= S1A (DC)
 

S1A (ONS-FAIR) 		DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= EFMB204 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
 — — — —
P= MURS120-B (ANBON)
 
DO214AA
 
 — — — — — — — — — — —
P= US1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
 — — — — — —
P= S1D (DC)
 

S1D (SMCMICRO)
S1D (ONS-FAIR) 		DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — —
P= S1B (DC)
 

S1B (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AA] — — — — — — — — — — —
P= EFMB340 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
 — — — —
P= S1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
 — — — — — — —
P= FM403 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
 — — — — —
P= S1DFSHMWG (TSC)
 
—
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
P= S1D (TSC)
 

S1D (SMCMICRO)
S1D (ONS-FAIR) 		DO214AC 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC] — — —
A- ER3D (DC)
 
DO214AB в ленте 500 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS520 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- MUR320S (TSC)
 
DO214AB 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ES3DH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — —
A- MUR420S (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — —
A- ES3D (TSC)
 

ES3D (DIODES) 		DO214AB 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS320 (TSC)
 
DO214AB 3000 шт — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- ES3D SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
ES3A THRU ES3J 超快恢复整流二极管 Super Fast Recovery Rectifier Diode ■特征 ■外形尺寸和印记 Features ● Io 3.0A ● VRRM 50V-600V ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge current capability ● 封装：模压塑料 Cases: Molded plastic ■用途 Outline Dimensions and Mark DO-214AB(SMC) .129(3.27) .112(2.85) Mounting Pad Layout .245(6.22) .220(5.59) 0.151 (3.84) .280(7.11) .260(6.60) 0.150 (3.82) .103(2.61) .078(1.99) .008(0.20) .004(0.10) .060(1.52) .030(0.76) Applications .320(8.13) .305(7.75) ●整流用 Rectifier 0.119(3.03) 0.390 (9.90) .012(0.31) .006(0.15) Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values (Absolute Maximum Rating) 参数名称 符号 单位 测试条件 Item Symbol Unit Test Conditions VRRM V 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 正向平均电流 Average Forward Current 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Non-repetitive)Forward Current 结温 Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature ES3 A B 50 100 C D 150 200 正 弦 半 波 60Hz ， 电 阻 负 载 ， TL=100℃ 60HZ Half-sine wave, Resistance load, TL=100℃ 正弦半波60Hz， 一个周期， Ta=25℃ 60Hz Half-sine wave ,1 cycle , Ta =25℃ F G 300 400 500 600 G H IF(AV) A IFSM A TJ ℃ -55~+150 TSTG ℃ -55 ~ +150 H J 3.0 100 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) 符号 Symbol 单位 Unit 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 最大反向恢复时间 Maximum reverse recovery time VF V IF =3.0A trr ns IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A 35 反向漏电流 Peak Reverse Current IRRM1 Ta =25℃ 10 Ta =100℃ 500 热阻(典型) Thermal Resistance(Typical) IRRM2 μA RθJ-A ℃/W RθJ-L 测试条件 Test Condition ES3 参数名称 Item VRM=VRRM A 结和环境之间 Between junction and ambient 结和终端之间 Between junction and terminal B C D F 0.95 1.3 J 1.7 471) 121) 备注：Notes: 1) 热阻从结到环境及从结到引线，在电路板的0.3" x 0.3" (8.0毫米 x 8.0毫米)铜垫片区 Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.3" x 0.3" (8.0 mm x 8.0 mm) copper pad areas Document Number 0175 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES3A 

Microsoft Word - ES3A-ES3J.doc

Дата модификации: 07.11.2011

Размер: 143.2 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)