Вход / Регистрация

SS18

DC Components
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 80 В, ток до 1 А, с падением напряжения 850 мВ, производства DC Components (DC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SS110A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SK18 T/R (DC)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
P= SS18A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SK18 (DC)
 

SK18 (DIOTEC) 		DO214AC в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AA] — — —
P= SS18 T/R (DC)
 
DO-214AC SMA в ленте 7500 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= SS18 (HOTTECH)
 

SS18 (ONS-FAIR) 		— 1 шт
 
 — — — —
A- SS210 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — —
A- SSL210A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 —
A- SS110 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10 шт
 
 — — —
A- SS110 (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS210A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SSL110A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 —
A- ESH2BA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110 (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
A- SS19 (YJ)
 

SS19 (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 90V V(RRM)
A- SS18AQ (YJ)
 
— 30 шт
 
 — Surface Mount Schottky Rectifier
A- SS28A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 80V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- PU1BAH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
SS12 THRU SS120 DC COMPONENTS CO., LTD. RECTIFIER SPECIALISTS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE - 20 to 200 Volts CURRENT - 1.0 Ampere FEATURES * * * * * ldeal for surface mounted applications Low leakage current Low profile package Low power loss, high efficiency High surge capability SMA(DO-214AC) .114(2.9) .098(2.5) .062(1.6) .055(1.4) MECHANICAL DATA * Case: Molded plastic * Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant * Terminals: Solder plated solderable per MIL-STD-750, Method 2026 * Polarity: As marked * Mounting position: Any * Weight: 0.064 gram .181(4.6) .157(4.0) .012(0.3) .004(0.1) .095(2.4) .078(2.0) .060(1.5) .031(0.8) .008(0.2) .004(0.1) .208(5.3) .185(4.7) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS o Rating at 25 C ambient tempature unless ohterwise specified Single phase, half wave 60 HZ, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Dimensions in inches and (millimeters) SYMBOL SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 SS18 SS110 SS115 SS120 UNITS Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 20 30 40 50 60 80 100 150 200 Volts Maximum RMS Voltage VRMS 14 21 28 35 42 56 70 105 140 Volts VDC 20 30 40 50 60 80 100 150 200 Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current o at Derating Lead Temperature TA =100 C Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC Maximum DC Reverse Current @T A = 25 o C at Rated DC Blocking Voltage @T A = 100 o C IO 1.0 IFSM 30 0.55 VF 0.70 Amps 0.85 1.0 IR Volts Amps 0.95 Volts mAmps 20 Typical Thermal Resistance (Note 1) RθJ A 88 Typical Junction Capacitance (Note 2) CJ 110 Operating Temperature Range TJ -55 to +125 0 C T STG -55 to +150 0 C Storage Temperature Range 0 C/ W pF NOTES : 1. Thermal Resistance (Junction to Ambient) 2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts. 3. P.C.B. mounted with 0.2x0.2"(5.0x5.0mm 2 ) copper pad area. REV-3,MAR,2017 1 www.dccomponents.com PDF
Документация на SS13 

Дата модификации: 02.01.1970

Размер: 41.9 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SK14 (SMK)