ESH2BA

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 1 А, с падением напряжения 900 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= ESH2BAR2 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= GS1B (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC] Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= GS1G (DC)
 
DO214AA в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC] Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- ES1BF3 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- ES1BR3G (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- ES1BR3 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- ES1BF3G (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- ES1BM2G (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS210 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- ES1B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10000 шт
 
A- ES1B (DC)
 

ES1B (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC]
A- ES2BA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon
A- SS110 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10 шт
 
A- SS110 (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SSL210A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- ES2BA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110 (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
A- SS210A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES1B (YJ)
 

ES1B (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110AQ (YJ)
 
40 шт
 
Surface Mount Schottky Rectifier
A- PU2BAH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
A- PE1BA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
A- SK110B (TSC)
 
DO214AC 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- PU1BAH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
A- ES2B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- SS110 (TSC)
 
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES1B (TSC)
 

ES1B (ONS-FAIR)
DO214AC 7500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
ESH2BA – ESH2DA Taiwan Semiconductor 1A, 100V - 200V Ultra Fast Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Low power loss, high efficiency Ideal for automated placement Ultra Fast recovery time for high efficiency High surge current capability Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 100 - 200 V IFSM 50 A TJ MAX 175 °C APPLICATIONS ● ● ● ● ● Package DO-214AC (SMA) Configuration Single die DC to DC converter Switching mode converters and inverters Lighting application Snubber Freewheeling application MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.070g (approximately) DO-214AC (SMA) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device ESH2BA ESH2CA ESH2DA UNIT ESH2BA ESH2CA ESH2DA Repetitive peak reverse voltage VRRM 100 150 200 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 70 105 140 V Forward current Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Pulse energy in avalanche mode, non-repetitive (inductive load switch off), L = 120mH Junction temperature Storage temperature IF 1 A IFSM 50 A ERSM 20 mJ TJ - 55 to +175 °C TSTG - 55 to +175 °C 1 Version: F2102 PDF
Документация на ESH2BA 

Дата модификации: 03.03.2021

Размер: 555 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.