G4S06508DT

GPT
Диод выпрямительный 1 на напряжение до 650 В, ток до 8 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 395 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид G4S06508DT

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC008065NPM (WAYON)
 
TO2632L 800 шт
 
 — — — — — —
A- G4S06510DT (GPT)
 
TO263 в ленте 100 шт — — —

Файлы 2

показать свернуть
Datasheet V2020.A.0 G4S06508DT 650V/ 8A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Key Characteristics Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation VRRM IF, Tc≤152℃ QC 650 V 8 A 21 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G4S06508DT TO-263 G4S06508DT G4S06508DT ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G4S06508DT 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 14.09.2020

Размер: 457.5 Кб

5 стр.

Datasheet V2020.A.0 G4S06508DT 650V/ 8A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Key Characteristics Features • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • Temperature independent switching behavior • High temperature operation • High frequency operation VRRM IF, Tc≤152℃ QC 650 V 8 A 21 nC Benefits • Unipolar rectifier • Substantially reduced switching losses • No thermal run-away with parallel devices • Reduced heat sink requirements Applications • SMPS, e.g., CCM PFC; • Motor drives, Solar application, UPS, Wind turbine, Rail traction, EV/HEV Part No. Package Type Marking G4S06508DT TO-263 G4S06508DT G4S06508DT ©2020 Global Power Technology Company Ltd - ALL RIGHTS RESERVED PDF
Документация на G4S06508DT 

 1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:

Дата модификации: 24.07.2020

Размер: 429.6 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)