23 мая 2025
новость
G4S06508DT
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 650 В, ток до 8 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 395 пФ, производства GPT (GPT)
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: Выпрямительные диоды
- Корпус: TO263
- Норма упаковки: 100 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO263 | |
|---|---|---|
| Схема включения диодов |  | |
| Максимальное обратное напряжение диода |  | |
| Прямой ток диода (средний) |  | |
| Прямое падение напряжения |  | |
| Особенности |  | |
| Обратный ток диода |  | |
| Емкость перехода |  | |
| Рабочая температура |  | |
| Монтаж |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Сборка | Uобр | Iпрям | Uпрям | Особенности | Iобр | t ов | Сперех | T раб | Монтаж | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | WSRSIC008065NPM (WAYON) | TO2632L | 800 шт |  |  |  | — |  | — | — | — | — |  | — | ||
| A- | G4S06510DT (GPT) | TO263 | в ленте 100 шт |
|  |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |
Файлы 2
показать свернуть
Документация на G4S06508DT
1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:
Дата модификации: 14.09.2020
Размер: 457.5 Кб
5 стр.
Документация на G4S06508DT
1200V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diodes Bare Die Keywords:
Дата модификации: 24.07.2020
Размер: 429.6 Кб
5 стр.
Публикации 1
показать свернуть Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.