AT24C512N

HGSEMI Semiconductor Co., Ltd.
EEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 524.3 кбит, в корпусе DIP-8 . Особенности: DIP-8 . Рабочая температура: -55...125 °C .
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: Память  
  • Корпус: DIP-8
  • Норма упаковки: 50  шт. (в линейках)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DIP-8
Тип памяти
Подтип памяти
Интерфейс
Объём памяти
Организация памяти
Особенности
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Подтип Интерфейс Объём Организация Напряжение Особенности T раб Время доступа Карточка
товара
A- BL24C512A-PARC (CN BELL)
 
SOP-8 в ленте 2500 шт
 
 4 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
A- BL24C512A-SFRC (CN BELL)
 
TSSOP-8 в ленте 150 шт
 
 4 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V

Файлы 1

показать свернуть
AT24C512 Features • Low-voltage and Standard-voltage Operation • • • • • • • • • • • – 5.0 (VCC = 4.5V to 5.5V) – 2.7 (VCC = 2.7V to 5.5V) – 1.8 (VCC = 1.8V to 3.6V) Internally Organized 65,536 x 8 2-wire Serial Interface Schmitt Triggers, Filtered Inputs for Noise Suppression Bidirectional Data Transfer Protocol 1 MHz (5V), 400 kHz (2.7V) and 100 kHz (1.8V) Compatibility Write Protect Pin for Hardware and Software Data Protection 128-byte Page Write Mode (Partial Page Writes Allowed) Self-timed Write Cycle (5 ms Typical) High Reliability – Endurance: 100,000 Write Cycles – Data Retention: 40 Years – ESD Protection: >4000V Automotive Grade and Extended Temperature Devices Available 8-pin PDIP and 20-pin JEDEC SOIC, 8-pin LAP, and 8-ball dBGATM Packages 2-wire Serial EEPROM 24C512 AT24C512 512K (65,536 x 8) Description The AT24C512 provides 524,288 bits of serial electrically erasable and programmable read only memory (EEPROM) organized as 65,536 words of 8 bits each. The device’s cascadable feature allows up to 4 devices to share a common 2-wire bus. The device is optimized for use in many industrial and commercial applications where low-power and low-voltage operation are essential. The devices are available in space-saving 8-pin PDIP, 20-pin JEDEC SOIC, 8-pin Leadless Array (LAP), and 8-ball dBGA packages. In addition, the entire family is available in 5.0V (4.5V to 5.5V), 2.7V (2.7V to 5.5V) and 1.8V (1.8V to 3.6V) versions. Pin Configurations Pin Name Function A0 - A1 Address Inputs SDA Serial Data SCL Serial Clock Input WP Write Protect NC No Connect 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 A0 A1 NC GND 8 7 6 5 1 2 3 4 VCC WP SCL SDA 8-pin Leadless Array VCC WP SCL SDA 20-pin SOIC A0 A1 NC NC NC NC NC NC NC GND 8-pin PDIP VCC WP NC NC NC NC NC NC SCL SDA http://www.hgsemi.com.cn 1 2 3 4 8 7 6 5 A0 A1 NC GND Bottom View 8-ball dBGA VCC WP SCL SDA 8 1 7 2 6 3 5 4 A0 A1 NC GND Bottom View 1 2018 JUN PDF
Документация на AT24C512N 

DATASHEET SEARCH SITE == WWW.ICPDF.COM DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE：ICPDF.COM

Дата модификации: 18.10.2017

Размер: 865.4 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    23K256-I/SN (MCRCH)