1SS387

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 80 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1.2 В, ёмкостью перехода 3 пФ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- BAS516 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
A- LBAS516T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
A- BAS516Q (YJ)
 
SOD-523 Small-Signal Fast Switching Diodes

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes 1SS387 High Speed Switching Diode SOD-523 FEATURES z z z Small surface mounting type High speed High reliability with high surge current handing capability MARKING: G G The marking bar indicates the cathode Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 85 V DC Blocking Voltage VR 80 V Forward Continuous Current IFM 200 mA Average Rectified Output Current IO 100 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 150 mW RθJA 833 ℃/W TJ,TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Forward voltage Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VF1 0.62 V IF=1mA VF2 0.75 V IF=10mA VF3 1.2 V IF=100mA IR1 0.1 μA VR=30V IR2 0.5 μA VR=80V Capacitance between terminals CT 3.0 pF VR=0,f=1MHZ Reverse recovery time trr 4 ns VR=6V,IF=10mA,RL=100Ω Reverse current www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 1SS387 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.25 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes 1SS387 High Speed Switching Diode SOD-523 FEATURES z z z Small surface mounting type High speed High reliability with high surge current handing capability MARKING: G G The marking bar indicates the cathode G Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 85 V DC Blocking Voltage VR 80 V Forward Continuous Current IFM 200 mA Average Rectified Output Current IO 100 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 150 mW RθJA 833 ℃/W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Forward voltage Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VF1 0.62 V IF=1mA VF2 0.75 V IF=10mA VF3 1.2 V IF=100mA IR1 0.1 μA VR=30V IR2 0.5 μA VR=80V Capacitance between terminals CT 3.0 pF VR=0,f=1MHZ Reverse recovery time trr 4 ns VR=6V,IF=10mA,RL=100Ω Reverse current www.cj-elec.com 1 C,Mar,2015 PDF
Документация на 1SS387 

Author: Administrator

Дата модификации: 10.03.2015

Размер: 755.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)