BAS516

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 250 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4148WT (ANBON)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — —
P= BAS516 (SHIKUES)
 
SOD-523 — — — — — —
P= LBAS516T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAS516 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM)
A- 1N4448X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
A- BAS516Q (YJ)
 
SOD-523 Small-Signal Fast Switching Diodes

Файлы 1

показать свернуть
RoHS BAS516 COMPLIANT Small-Signal Fast Switching Diodes Features ● VR 100V ● IFAV 250mA Typical Applications ● Extreme fast switches Mechanical Data ● Package: SOD523 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ●Marking: 61 ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Repetitive peak reverse voltage SYMBOL Conditions UNIT VALUE VRRM V Reverse voltage VR V Peak forward surge current IFSM A Average forward current IFAV mA 250 Power dissipation Ptot mW 150 Tj ℃ -55 to +150 Tstg ℃ -55 to +150 Maximum junction temperature Storage temperature range 100 IR=100uA 100 Pulse width=1 us Pulse width=1 s 2 1 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Breakdown Voltage Forward Voltage Symbol UNIT VR V VF Conditions IR=100uA Min Max 100 IF=1mA 0.715 IF=10mA 0.855 IF=50mA 1.00 IF=150mA 1.25 V IR1 nA VR=25V 30 IR2 uA VR=75V 1 Capacitance C pF VR=0V,f=1MHz 4 Reverse Recovery Time Trr ns IF=IR=10mA，Irr=0.1*IR, RL=100Ω 4 Reverse Leakage Current 1/4 S-S1485 Rev.1.0, 30-Mar-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BAS516 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 07.08.2018

Размер: 627.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)