2SA1179

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1179 TRANSISTOR SOT-23 (PNP) 3 FEATURES . High breakdown voltage 1 1. BASE 2 2. EMITTER MARKING: M 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -55 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Vo...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC857C (YJ)
 

BC857C (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC857CT (YJ)
 
SOT-523 3000 шт
 
A+ BC857CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC857B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC857BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC857B RF (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC857C RFG (TSC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC858C RF (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ S9015 (SHIKUES)
 
SOT-23-3 15 шт
 
A+ BC858C (SHIKUES)
 

BC858C (DIODES)
SOT-23-3
 
A+ 2SB1188-R (YJ)
 
SOT-89
 
A+ BC857BT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ BC858BT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ BC858CT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ BC858CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.