2SA1661

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SA1661 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES z Small Flat Package z High Current Application z High Voltage z High Transition Frequency 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -120 V VCEO Collect...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MMBT2907A (SHIKUES)
 

MMBT2907A (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 1500 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SA1661 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES z Small Flat Package z High Current Application z High Voltage z High Transition Frequency 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -0.8 A PC Collector Power Dissipation 500 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W -55~+150 ℃ RθJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO = IC= -1mA,IE 0 -120 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO = IC=-10mA,IB 0 -120 V Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA,IC 0 V(BR)EBO = -5 V = VCB=-120V,IE 0 -100 nA -100 nA Collector cut-off current ICBO Emitter cut-off current VEB=-5V,IC 0 IEBO = DC current gain hFE VCE=-5V, = IC -100mA VCE(sat) IC=-500mA,IB=-50mA VBE VCE= =-5V, IC -500mA -1 V VCB=-10V,IE=0, f=1MHz 30 pF Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Cob Collector output capacitance fT Transition frequency VCE=-5V,IC=-0.1A, f=30MHz 80 240 -1 120 V MHz CLASSIFICATION OF hFE RANK O Y RANGE 80–160 120–240 MARKING DO. DY. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SA1661 

Microsoft Word - 2SA1661 SOT-89-3L_A_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 583.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)