2SA1774

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1774 SOT-523 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z Reduces Board Space z High hFE Low VCE(sat) z 1. BASE 2. EMTTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-523
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC857W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC857C (YJ)
 

BC857C (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857CT (YJ)
 
SOT-523 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857A (YJ)
 

BC857A (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857AW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857B RF (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857C RFG (TSC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858C RF (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858C (SHIKUES)
 

BC858C (DIODES) 		SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5087 (SHIKUES)
 

MMBT5087 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 20 шт
 
 — — — —
A+ S9015 (SHIKUES)
 
SOT-23-3 15 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1774 SOT-523 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z Reduces Board Space z High hFE Low VCE(sat) z 1. BASE 2. EMTTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -150 mA PC Collector Power Dissipation 150 mW TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-50uA, IE=0 -60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-1.0mA, IB=0 -50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-50μA, IC=0 -6.0 V Collector cut-off current ICBO VCB=-60V, IE=0 -0.1 uA Emitter cut-off current IEBO VEB=-6V, IC=0 -0.1 μA DC current gain hFE (1) VCE=-6.0V, IC=-1.0mA (2) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Base-emitter saturation voltage VBE(sat) (2) fT Transition frequency Collector output capacitance Cob 120 560 IC=-50mA, IB=-5.0mA -0.5 V IC=-50mA, IB=-5.0mA -1.2 V VCE=-12V, IC=-2.0mA,f=30MHZ 140 VCB=-12V, IE=0, f=1MHz 3.5 MHz 5 pF Note(1): CLASSIFICATION OF hFE Rank Range Marking Q R S 120-270 180-390 270-560 FQ FR FS (2).Pulse Test :Pulse Width ≤300us,D.C ≤ 2% www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SA1774 

Microsoft Word - 2SA1774_SOT-523_.doc

Дата модификации: 11.05.2020

Размер: 617.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)