2SA812

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONIC6 TECHNOLOGY CO., LTD S27Plastic-Encapsulate Transistors 2SA812 SOT-23 TRANSISTOR (PNP) Unit : mm 1. BASE FEATURES Complementary to 2SC1623 z High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) z High Voltage: Vceo=-50V z 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -6...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONIC6 TECHNOLOGY CO., LTD S27Plastic-Encapsulate Transistors 2SA812 SOT-23 TRANSISTOR (PNP) Unit : mm 1. BASE FEATURES Complementary to 2SC1623 z High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) z High Voltage: Vceo=-50V z 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -100 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Symbol Test conditions Min Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-100μA, IE=0 -60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1mA, IB=0 -50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -100μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=- 60 V, IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= -5V, IC=0 -0.1 μA DC current gain hFE VCE=- 6V, IC= -1mA Parameter Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Base-emitter voltage VBE Transition frequency fT Cob Collector output capacitance Typ 90 VCE=-6V, -0.58 IC= -10mA VCB=-10V,IE=0,f=1MHz Unit 600 IC=-100mA, IB= -10mA IC=-1mA, VCE=-6V Max -0.3 V -0.68 V 180 MHz 4.5 pF CLASSIFICATION OF hFE Rank Range Marking www.jscj-elec.com M4 M5 M6 M7 90-180 135-270 200-400 300-600 M4 M5 M6 M7 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SA812 

Microsoft Word - 2SA812_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 713 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)