2SB1188

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SB1188 TRANSISTOR (PNP) SOT-89-3L FEATURES 1. BASE z Low VCE(sat). z Complements the 2SD1766 2. COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -32 V VEBO Emitter-Base Voltage ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SB1188 TRANSISTOR (PNP) SOT-89-3L FEATURES 1. BASE z Low VCE(sat). z Complements the 2SD1766 2. COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -32 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -2 A PC Collector Power Dissipation 500 mW RθJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W RθJC Thermal Resistance From Junction To Case 45 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range 2 3 3. EMITTER ℃ -55~150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-50μA , IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage IC= -1mA , IB 0 V(BR)CEO= -32 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-50μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO = VCB=-20 V , IE 0 Emitter cut-off current VEB=-4 V , IC 0 IEBO = DC current gain * hFE VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage * fT Transition frequency Cob Output capacitance VCE= -3V, IC= -0.5A 82 -1 μA -1 μA 390 IC=-2A, IB= -0.2A -0.8 V VCE=-5V, IC=-0.5A ,f=30MHz 100 MHz VCB=-10V, IE=0 ,f=1MHz 50 pF * Measured using pulse current. CLASSIFICATION OF hFE Rank Range Marking www.jscj-elec.com P Q R 82-180 120-270 180-390 BCP BCQ BCR 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на 2SB1188 

Microsoft Word - 2SB1188_SOT-89_.doc

Дата модификации: 09.11.2020

Размер: 586.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)