B0530W

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 30 В, ток до 500 мА, с падением напряжения 430 мВ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LMBR0530T1G (LRC)
 
SOD123 900 шт — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAS85 (SHIKUES)
 
MiniMELF SOD80
 
 — — — — — —
A- LMBR130T1G (LRC)
 
SOD123 в ленте 393 шт — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes B0530W SCHOTTKY BARRIER DIODE SOD-123 FEATURES z z z z Low Forward Voltage Drop Guard Ring Construction for Transient Protection High Conductance Also Available in Lead Free Version MARKING:SE SE The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green molding compound device,if none, SE the normal device. Maximum Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbo Value Unit 30 V VR(RMS) 21 V Io 0.5 A Non-repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 5.5 A Power dissipation PD 500 mW Thermal resistance junction to ambient RθJA 200 ℃/W Operating Junction Temperature Range Tj -40 ~ +125 ℃ Storage Temperature Range TSTG -55 ~ +150 ℃ Voltage rate of change dv/dt 1000 V/μs Peak repetitive peak reverse voltage VRRM Working peak reverse voltage VRWM VR DC blocking voltage RMS reverse voltage reverse voltage (DC) Average rectified output current Electrical Characteristics @Ta=25℃ Symbol Reverse breakdown voltage V(BR) Reverse current IR Forward voltage VF Capacitance between terminals CT www.jscj-elec.com Test conditions IR=200uA Min Typ Max 30 V VR =15V 20 VR =30V 130 IF=0.1A 0.375 IF =0.5A 0.430 VR=1,f=1MHz 1 Unit 170 uA V pF Rev. - 2.0 PDF
Документация на B0530W 

Author: Administrator

Дата модификации: 12.05.2020

Размер: 1.35 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes SOD-123 B0520L W/B0530W/B0540W SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES z Low Forward Voltage Drop z Guard Ring Construction for Transient Protection z High Conductance z Also Available in Lead Free Version MARKING: B0520LW:SD B0530W: SE B0540W: SF Maximum Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM DC Blocking V oltage VR RMS Reverse Voltage Reverse Voltage (DC) VR(RMS) Average Rectified Output Current Forward Current Surge Peak Voltage Rate of Change B0540W 20 30 40 V 14 21 28 V Unit 0.5 A IFSM 5.5 A PD 5  mW RθJA  ℃/W Tj 125 ℃ TSTG -55~+150 Junction Temperature Storage Temperature B0530W Io Power Dissipation Thermal Resistance Junction to Ambient B0520LW dv/dt ℃ 1000 V/μs Electrical Characteristics @Ta=25℃ Parameter Minimum reverse b reakdown voltage Forward voltage Reverse current Reverse current Capacitance between terminals Symbol B0520LW B0530W B0540W 20 -- -- -- 30 -- -- -- 40 IR=20μA VF1 0.32 0.375 -- IF=0.1A VF2 0.385 0.430 0.510 VF3 -- -- 0.62 IR1 75 -- -- IR2 -- 20 -- IR3 250 -- 10 IR4 -- 130 -- IR5 -- -- 20 CT -- -- 170 V(BR) Unit Test Conditions IR=250μA V V IR=200μA IF=0.5A IF=1A μA VR=10V VR=15V VR=20V μA VR=30V VR=40V pF VR=0,f=1MHz B,Jul,2012 PDF
Документация на B0530W 

Microsoft Word - B0520LW B0530W B0540W_SOD-123_.doc

Дата модификации: 30.07.2012

Размер: 266.2 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)