Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики
26 июня
Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в переменный для каждой солнечной панели в отдельности. В отличие от другого способа, заключающегося в использовании единственного преобразователя для всех панелей, соединенных в цепи, применение микроинверторов позволяет получить максимально возможную мощность от каждой из них, что в свою очередь дает возможность создать наиболее эффективную систему солнечной батареи, что особенно актуально для территорий со сложным рельефом или при затенении некоторых панелей природными или искусственными объектами.
Большое количество микроинверторов статистически повышает вероятность их выхода из строя, что некритично для всей системы в целом, но требует технического обслуживания, неудобного из-за установки преобразователя непосредственно у панели. Полупроводниковые компоненты производства компании JSCJ позволяют построить высокоэффективные и надежные микроинверторы. Благодаря высокому качеству продукции этой компании вероятность отказов будет минимальной.
На рисунке 1 цветными областями выделены транзисторы, используемые в качестве ключей преобразователей, и выпрямительные диоды.
Рис. 1. Микроинвертор для солнечной панели
Компания JSCJ предлагает транзисторы и диоды для применения в солнечных панелях. Номенклатура выпускаемых компонентов очень широка, поэтому в таблицах 1, 2 и 3 представлены лишь некоторые из них. Для обеспечения работы остальных процессов в микроинверторах и защиты цепей питания от импульсов перенапряжений предлагаются биполярные транзисторы, регуляторы напряжения и супрессоры, перечисленные в таблицах 4, 5 и 6.
Таблица 1. MOSFET производства компании JSCJ
| Наименование | Напряжение «сток-исток» VDS, В | Сопротивление открытого канала RDS(ON), мОм | Диапазон порогового напряжения затвора VGS(th), В |
Заряд затвора Qq, нК | Входная емкость Ciss, пФ | Корпус | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS = 10 В | VGS = 4,5 В | ||||||
| BSS123 | 100 | 3500 | 3800 | 1,0…2,0 | 1,4 | 29 | SOT-23 |
| CJAC80SN10 | 100 | 6,2 | 8,8 | 1,3…2,5 | 46 | 220 | PDFNWB5x6 |
| CJAC75SN15 | 150 | 10 | 12 | 2,0…4,0 | 45 | 3850 | PDFNWB5x6 |
| CJAC012SN15BH | 150 | 9,4 | 11 | 2,0…4,0 | 21,6 | 1683 | PDFNWB5x6 |
| CJPF180JN60A | 600 | 147 | – | 2,5…4,0 | 27,5 | 1500 | TO-220F |
| CJB250JN80AD | 800 | 200 | – | 2,5…4,0 | 42 | 2500 | D2PAK |
Таблица 2. IGBT производства JSCJ с рабочим напряжением 1200 В
| Наименование | Ток коллектора IC, А | Напряжение насыщения VCEsat, В | Энергия переключений, мДж | Частота переключений, кГц | Корпус | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Tj = 100°C | Tj = 25°C | Вкл. Eon | Выкл. Eoff | ||||
| CGWT40N120F2LAD | 40 | 80 | 1,4 | 2,8 | 2,9 | 0…8 | TO-247 |
Таблица 3. Диоды JSCJ
| Тип | Наименование | Обратное напряжение VR, В | Прямой ток IF, А | Импульсный ток IFSM, А | Падение напряжения VF, В | Время восстановления trr, нс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Шоттки | B0530W | 30 | 0,5 | 5,5 | 0,43 | – | SOD-123 |
| BAT54S | 30 | 0,2 | 0,6 | 1 | – | SOT-23 | |
| DSS210 | 100 | 2 | 50 | 0,85 | – | SOD-123FL | |
| Быстро-восстанавлива-ющийся | ES1D | 200 | 1 | 30 | 0,95 | 35 | SMAG |
| ES3JB | 600 | 3 | 100 | 1,7 | 35 | SMBG | |
| SiC Шоттки | SBDD02C1200 | 1200 | 2 | 29 | 1,45 | – | TO-252 |
Таблица 4. Биполярные транзисторы и сборки JSCJ
| Полярность | Наименование | Ток коллектора IC, А | Напряжение, В | Корпус | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Коллектор-эмиттер VCEO | Коллектор-база VCBO | Насыщения VCE(SAT) | ||||
| NPN | MMBT4401 | 0,6 | 40 | 60 | 0,4 | SOT-23 |
| 2SC4081 | 0,15 | 50 | 60 | 0,4 | SOT-323 | |
| 2SD2391 | 2 | 60 | 60 | 0,35 | SOT-89 | |
| PNP | 2SA1576A | -0,15 | -50 | -60 | -0,5 | SOT-323 |
Таблица 5. Линейные регуляторы напряжения (в том числе LDO) производства JSCJ
| Тип | Наименование | Напряжение, В | Ток Iout, А | Максимальное потребление в покое Iq, мА |
Корпус | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вход Vin | Выход Vout | |||||
| Регулятор | CJ7805 | 35 | 5 | 1,5 | 8 | TO-220, TO-251, TO-252, TO-263 |
| LDO | 1117xx | 20 | 1,2…5,0 1,8…5,0 Adj |
1 | 10 | SOT-89, SOT-223, TO-252 |
Таблица 6. Двунаправленные супрессоры производства JSCJ
| Наименование | Напряжение, В | Ток импульса Ipp, А | Мощность импульса Ppp, Вт | Корпус | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Рабочее VRWM | Пробоя VBR | |||||
| Мин. | Макс. | |||||
| 5.0SMDJ75CA | 75 | 83,3 | 92,1 | 41,3 | 5000 | SMCG |
| ESDVD5V0H4 | 5 | 5,8 | 10 | 12 | 240 | SOT-23-6 |
Дополнительную информацию о компонентах JSCJ, а также ответы на вопросы по их заказу и поставкам можно получить у специалистов компании КОМПЭЛ.
Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) основана в 2018 году в китайском городе Нанкин как дочерняя структура известного контрактного изготовителя и тестировщика интегральных микросхем и дискретных полупроводников JCET.
Компания, входящая в десятку крупнейших производителей микроэлектроники Китая, выпускает более 15000 наименований полупроводниковой продукции: силовые дискретные изделия, а также стандартные микросхемы управления питанием, токового преобразования и выпрямления.
...читать далее
Наши информационные каналы