BAS16T

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 75 В, с падением напряжения 1.25 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-523
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 85V V(RRM)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Diodes MMBD4148T/BAS16T SWITCHING DIODE SOT-523 FEATURES Fast Switching Speed For General Purpose Switching Applications z z High Conductance z 1 3 MARKING: MMBD4148T:KA2 2 BAS16T:A2 KA2 A2 Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 75 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 150 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 200 mW RθJA 625 ℃/W TJ,TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Reverse breakdown voltage Symbol Min V (BR) 75 Typ Max Unit Conditions V IR=1μA VF1 0.715 V IF=1mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=50mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 1 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V Capacitance between terminals CT 2 pF VR=0V,f=1MHz Reverse recovery time trr 4 ns Forward voltage Reverse current www.jscj-elec.com 1 IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω Rev. - 2.0 PDF
Документация на BAS16T 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.12 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Diode MMBD4148T/BAS16T SWITCHING DIODE SOT-523 FEATURES Fast Switching Speed For General Purpose Switching Applications z z High Conductance z 1 MARKING: 3 MMBD4148T:KA2 2 BAS16T:A2 KA2 A2 Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. KA2 A2 Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 75 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 150 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 200 mW RθJA 625 ℃/W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Reverse breakdown voltage Symbol Min V (BR) 75 Typ Max Unit Conditions V IR=1μA VF1 0.715 V IF=1mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=50mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 1 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V Capacitance between terminals CT 2 pF VR=0V,f=1MHz Reverse recovery time trr 4 ns Forward voltage Reverse current www.cj-elec.com 1 IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω B,Oct,2014 PDF
Документация на BAS16T 

Author: Administrator

Дата модификации: 15.10.2014

Размер: 1.77 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)