BAS16TW

JSCJ
Диод выпрямительный 3 на напряжение до 75 В, ток до 300 мА, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 2 пФ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAV99DW (ANBON)
 
SOT-323-6 SOT363 — — — —
A- MMBD4148TW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 — —

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Diodes BAS16TW/MMBD4148TW SWITCHING DIODE SOT-363 FEATURES Fast Switching Speed z z For General Purpose Switching Applications z High Conductance MARKING: MMBD4148TW:KA2 6 5 4 1 2 3 BAS16TW:KA2 - - - KA2 KA2 + + + - - - KA2 KA2 Solid dot = Pin1 indicate. Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. + + + Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 75 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 150 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 200 mW RθJA 625 ℃/W TJ,TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Reverse breakdown voltage Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time www.jscj-elec.com Symbol Min V (BR) 75 Typ Max Unit Conditions V IR=10μA VF1 0.715 V IF=1mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=50mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 1 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V CT 2 pF VR=0V,f=1MHz trr 4 ns 1 IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω Rev. - 2.0 PDF
Документация на BAS16TW 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.16 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Diodes BAS16TW/MMBD4148TW SWITCHING DIODE SOT-363 FEATURES Fast Switching Speed z z For General Purpose Switching Applications z High Conductance MARKING: MMBD4148TW:KA2 6 5 4 1 2 3 BAS16TW:KA2 - - - KA2 KA2 + + + - - - KA2 KA2 Solid dot = Pin1 indicate. Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. + + + Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 75 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 150 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 200 mW RθJA 625 ℃/W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Reverse breakdown voltage Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time www.cj-elec.com Symbol Min V (BR) 75 Typ Max Unit Conditions V IR=10μA VF1 0.715 V IF=1mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=50mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 1 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V CT 2 pF VR=0V,f=1MHz trr 4 ns 1 IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω C,Mar,2016 PDF
Документация на BAS16TW 

Author: Administrator

Дата модификации: 16.10.2014

Размер: 1.74 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)