Полупроводниковые компоненты азиатских брендов в автомобильных фарах

17 октября

автомобильная электроникауправление питаниемJSCJновостьMOSFETцифровой транзисторSwitching diode

Современной тенденцией в автопромышленности является использование светодиодных фар в транспортных средствах. К их преимуществам можно отнести:

  • малое энергопотребление, что особенно важно для электромобилей;
  • большой срок службы;
  • наличие дополнительных функций, например, возможности плавной регулировки светового потока.

Также следует упомянуть и эстетику: дизайнерам такие фары дают больше возможностей для творческого самовыражения.

Включение/выключение светодиодных фар, а также их диммирование осуществляются электронными устройствами (рисунок 1). КОМПЭЛ предлагает широкий выбор полупроводниковых компонентов азиатского производства, предназначенных для применения в автомобильной светотехнике. В качестве примера приведем продукцию китайской компании JSCJ.

Рис. 1. Блок-схема узла управления осветительными приборами современного автомобиля

Рис. 1. Блок-схема узла управления осветительными приборами современного автомобиля

MOSFET

MOSFET-транзисторы (в российской литературе они обычно называются «МОП-транзисторы») применяются для цепей коммутации. Кроме этого, на их основе изготавливают диммеры для фар.

Поскольку под фары в современном автомобиле выделяется небольшое пространство, тепловыделение устройств управления необходимо понизить. Для этого применяются транзисторы с малым временем переключения и низким сопротивлением канала в открытом состоянии.

Компания JSCJ предлагает MOSFET, выполненные по технологиям Trench (каналы N- и P-типов), а также SGT (канал N-типа). При этом SGT является дальнейшим развитием технологии Trench. Целесообразно использовать транзисторы с технологией Trench для коммутации, а SGT – в диммерах, работающих по принципу широтно-импульсной модуляции (таблица 1).

Таблица 1. MOSFET-транзисторы JSCJ для автомобильных фар

Наименование Тип Технология Напряжение VDS, В Сопротивление перехода RDS(ON), мОм Пороговое напряжение VGS(th), В Корпус
AD-CJ2309A Single-P Trench -60 -1…-2,5 190 SOT-23
AD-CJ2310 Single-P Trench 60 0,5…2 105 SOT-23
AD-CJAB35N03S Single-P Trench 30 1,3…2,5 6,8 PDFN3.3*3.3
AD-CJAB35P03B Single-P Trench -30 -1…-2,5 14 PDFN3.3*3.3
AD-CJAB011SN06AL Single-P SGT 60 1,1…2,5 11 PDFN3.3*3.3
AD-CJB3R2SN04AL Single-P SGT 40 1,2…2,3 3,2 PDFN3.3*3.3
AD-CJAB3R2SN01CH Single-P SGT 40 2,5…3,5 1,3 PDFN5*6
AD-CJAC9R0SN06AL Single-P SGT 60 1,3…2,5 9 PDFN5*6

Также в каталоге КОМПЭЛ доступен широкий выбор MOSFET для поверхностного монтажа с параметрическим поиском: FET-транзисторы.

Супрессоры (TVS)

Данные компоненты являются специализированными диодами, ограничивающими напряжение. Если оно превышает определенное значение, супрессор открывается и через него идет значительный ток.

Супрессоры способны ограничивать только кратковременные выбросы напряжения. Они применяются для защиты сигнальных цепей систем управления от действия помех со стороны силовых цепей, что особенно важно в электромобилях. Компания JSCJ предлагает для применения в транспортных средствах супрессоры на 24 и 28 В (таблица 2).

Таблица 2. TVS-диоды JSCJ для автомобильных фар

Наименование Пиковая мощность PPP, Вт Обратное рабочее напряжение VRVM, В Мин. напряжение срабатывания VBR(min), В Макс. напряжение срабатывания VBR(max), В Макс. напряжение ограничения VC, В Макс. пиковый ток IPP, А Корпус
AD-CJDTP6SMBJ28AC 600 28 31,1 34,4 45,4 13,2 SMBG
AD-CJDTP6SMBJ24AC 600 24 26,7 29,5 38,9 15,4 SMBG

Компоненты для защиты от статического электричества (ESD) 

Практически для любого транспортного средства актуальна проблема статического электричества. При этом MOSFET-транзисторы чувствительны к данному явлению настолько, что при определенных условиях могут выйти из строя.

Для предотвращения воздействия статического электричества на деликатную электронику применяются приборы ESD, которые также имеются в ассортименте JSCJ, например, AD-ESDBNC1524|1.

Переключающие диоды

Такие компоненты применяются в цепях управления фарами. Компания JSCJ выпускает диоды с максимальной рассеиваемой мощностью до 225 мВт (таблица 3). Напряжение на открытом диоде составляет 1,25 В, что больше обычного кремниевого диода. Тем самым снижается вероятность ложного открытия из-за помех.

Отличительной особенностью переключающих диодов JSCJ также является очень малый обратный ток, составляющий 0,1…1 мкА, в зависимости от типа.

Таблица 3. Переключающие диоды JSCJ для автомобильных фар

Наименование Рассеиваемая мощность Pd, мВт Прямой ток IF, мА Обратное напряжение VR, В Прямое напряжение VF, В Обратный ток утечки IR, мкА Макс. время восстановления trr, нс Корпус
AD-1N4148WS 200 150 100 1,25 1 4 SOD-323
AD-BAS16TW 200 150 75 1,25 1 4 SOT-363
AD-BAS21 225 200 250 1,25 0,1 50 SOT-23

Помимо этого, в каталоге КОМПЭЛ доступен широкий спектр переключающих диодов для поверхностного монтажа с параметрическим поиском: Выпрямительные диоды.

Цифровые транзисторы

Под этим термином скрываются биполярные N-P-N-транзисторы со встроенными 1…2 резисторами (таблица 4). Один включается в цепь базы, и к нему может быть добавлен еще один между базой и эмиттером.

Резисторы позволяют согласовать напряжение “единицы” на выходе цифровой микросхемы с напряжением открытия биполярного транзистора. В свою очередь, такой прибор управляет мощным MOSFET-транзистором.

Таблица 4. Цифровые транзисторы JSCJ для автомобильных фар

Наименование Тип/полярность Рассеиваемая мощность Pc, мВт Ток коллектора, Io, мА Напряжение питания VCC, В Выходное напряжение VO(On), В Интегрированные резисторы Корпус
R1, кОм R1, кОм
AD-DTC114EUA N-P-N 200 100 50 0,3 >0 >10 SOT-323
AD-DTC143EE N-P-N 150 100 50 0,3 >4,7 >4,7 SOT-523
AD-DTC124EUA N-P-N 200 100 50 0,3 >22 >22 SOT-323

Эти и другие переключающие диоды для поверхностного монтажа с параметрическим поиском доступны на странице нашего каталога: Биполярные транзисторы.

Применение

В России полупроводниковые компоненты азиатских брендов могут использоваться не только для светодиодных автомобильных фар. Они также подходят для других связанных с освещением применений, требующих компактности и энергоэффективности.

•••

Наши информационные каналы

О компании JSCJ

Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) основана в 2018 году в китайском городе Нанкин как дочерняя структура известного контрактного изготовителя и тестировщика интегральных микросхем и дискретных полупроводников JCET. Компания, входящая в десятку крупнейших производителей микроэлектроники Китая, выпускает более 15000 наименований полупроводниковой продукции: силовые дискретные изделия, а также стандартные микросхемы управления питанием, токового преобразования и выпрямления. ...читать далее

Товары
Наименование
AD-CJ2310 (JSCJ)
 
AD-1N4148WS (JSCJ)
 
AD-BAS16TW (JSCJ)
 
AD-BAS21 (JSCJ)
 
AD-DTC114EUA (JSCJ)