BAV19W

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAV19W (YJ)
 
SOD123 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon
P= LBAV3004T1G (LRC)
 
SOD123 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 350V V(RRM), Silicon
P= BAV19W (SHIKUES)
 
SOD123
 
 — — — — — —
P- BAV16W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 60 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
A- BAV19WQ (YJ)
 
SOD123
 
A- MMSD4148 (YJ)
 

MMSD4148 (ONS-FAIR) 		SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A- BAV116W (YJ)
 

BAV116W (DIODES) 		SOD123 320 шт
 
 — — — —
A- BAS16WQ (YJ)
 
— 35 шт
 
A- BAS16W (YJ)
 
SOD123 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
A- 1N4448WQ (YJ)
 
SOD123
 
A- 1N4448W (YJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
A- MMSD914 (JSCJ)
 

MMSD914 (ONS-FAIR) 		SOD123 в ленте 30000 шт
 
 — —

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes BAV19W~BAV21W SWITCHING DIODE SOD-123 FEATURES Low Reverse Current z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z Fast Switching Speed For General Purpose Switching Applications z z MARKING: BAV19W A8 BAV20W T2 A8 T2 A8 BAV21W T3 T3 T3 T2 The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Value Symbol VRM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage VRWM Working Peak Reverse Voltage VR(RMS) Unit Parameter BAV19W BAV20W BAV21W 120 200 250 100 150 200 71 106 141 RMS Reverse Voltage V V V Average Rectified Output Current 200 mA IFSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t= 8.3ms 2.0 A PD Power Dissipation 500 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 250 ℃/W -55~+150 ℃ IO RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse current Symbol Test conditions Min BAV19W 0.1 IR = VR 150V BAV20W 0.1 VR 200V = BAV21W 0.1 1 1.25 Total capacitance = = VR 0V,f 1MHz Ctot www.jscj-elec.com Max = VR 100V = IF 100mA VF Forward voltage = IF 200mA Reverse recovery time Typ trr IF= IR =30mA, Irr=0.1*IR , RL=100Ω 1 Unit uA V 5 pF 50 ns Rev. - 2.0 PDF
Документация на BAV19W 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.09 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes BAV19W~BAV21W SOD-123 SWITCHING DIODE FEATURES z Low Reverse Current z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z Fast Switching Speed z For General Purpose Switching Applications MARKING: BAV19W: A8 BAV20W: T2 BAV21W: T3 MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol VRM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage VRWM Working Peak Reverse Voltage VR(RMS) Value Parameter BAV19W BAV20W BAV21W 120 200 250 100 150 200 71 106 141 RMS Reverse Voltage Unit V V V Average Rectified Output Current 200 mA IFSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t=8.3ms 1.7 A PD Power Dissipation 500 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 250 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃ IO RΘJA ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse current Symbol IR Forward voltage VF Total capacitance Ctot Reverse recovery time trr Test conditions Min Typ Max VR=100V BAV19W 0.1 VR=150V BAV20W 0.1 VR=200V BAV21W 0.1 IF=100mA 1 IF=200mA 1.25 Unit uA V VR=0V,f=1MHz 5 pF IF= IR =30mA, Irr=0.1*IR , RL=100Ω 50 ns C ,Dec,2013 PDF
Документация на BAV19W 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.12.2013

Размер: 873.4 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)