EMD9

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Digital Transistors (Built-in Resistors) EMD9 Dual Digital Transistors (NPN+PNP) FEATURES SOT-563 Two DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a package Marking: D9 DTr1 Absolute maximum ratings (Ta=25℃) Parameter R1 Symbol Limits Unit Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -6~+40 V IO 70 IC(MAX) 100 Pd 150 Outpu...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-563
Тип проводимости и конфигурация
Встроенное сопротивление в базовой цепи
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Digital Transistors (Built-in Resistors) EMD9 Dual Digital Transistors (NPN+PNP) FEATURES SOT-563 Two DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a package Marking: D9 DTr1 Absolute maximum ratings (Ta=25℃) Parameter R1 Symbol Limits Unit Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -6~+40 V IO 70 IC(MAX) 100 Pd 150 Output current Power dissipation Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,Tstg R2 R2 R1 mA mW -55~+150 ℃ Electrical characteristics (Ta=25℃) Parameter Symbol Min Input voltage VI(off) VI(on) 0.3 Output voltage VO(on) Input current 0.1 II IO(off) DC current gain GI 68 Input resistance R1 7 Resistance ratio R2/R1 3.7 www.jscj-elec.com fT Max Unit Conditions V VCC=5V ,IO=100μA VO=0.3V ,IO=1mA 0.3 V IO=5mA, II=0.25mA 0.88 mA VI=5V 0.5 μA VCC=50V, VI=0 1.4 Output current Transition frequency Typ VO=5V ,IO=5mA 10 13 4.7 5.7 250 KΩ MHz 1 VO=10V ,IO=5mA,f=100MHz Rev. - 2.1 PDF
Документация на EMD9 

EMD9_SOT-563.doc

Дата модификации: 21.10.2021

Размер: 992.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)