EMH1

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Digital Transistors (Built-in Resistors) EMH1 Dual Digital Transistors (NPN+NPN) SOT-563 FEATURES Two DTC124E chips in a package z MARKING: H1 1 Absolute maximum ratings(Ta=25℃) Parameter Symbol Limit Unit Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -10~40 V IO 30 IC(MAX) 100 PD 150 mW TJ,Tstg -55~+150 ℃ Output current P...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-563
Тип проводимости и конфигурация
Встроенное сопротивление в базовой цепи
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Digital Transistors (Built-in Resistors) EMH1 Dual Digital Transistors (NPN+NPN) SOT-563 FEATURES Two DTC124E chips in a package z MARKING: H1 1 Absolute maximum ratings(Ta=25℃) Parameter Symbol Limit Unit Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -10~40 V IO 30 IC(MAX) 100 PD 150 mW TJ,Tstg -55~+150 ℃ Output current Power dissipation Operation Junction and Storage Temperature Range mA Electrical characteristics (Ta=25℃) Parameter Input voltage Output voltage Symbol VI(off) Min Typ Max 0.5 Unit V 3 VI(on) VCC=5V, IO=100μA VO=0.2V, IO=5mA 0.3 V IO/II=10mA/0.5mA II 0.36 mA VI=5V Output current IO(off) 0.5 μA VCC=50V, VI=0 DC current gain GI 56 Input resistance R1 15.4 22 28.6 Resistance ratio R2/R1 0.8 1 1.2 Input current Transition frequency www.jscj-elec.com 0.1 Conditions VO(on) fT VO=5V, IO=5mA 250 KΩ MHz 1 VCE=10V, IE=-5mA, f=100MHz Rev. - 2.0 PDF
Документация на EMH1 

Microsoft Word - EMH1_SOT-563_.doc

Дата модификации: 30.06.2020

Размер: 592 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)