FMMT495
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
FMMT495
TRANSISTOR (NPN)
SOT-23
FEATURE
Low VCE(sat)
hFE characterised up to 1A for high current gain hold up
For general amplification
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
MARKING: 495
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage
170
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Истор. имя: FMMT495 (DIODES)
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-23-3 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на FMMT495
Microsoft Word - FMMT495 SOT-23 A-1.doc
Дата модификации: 14.05.2020
Размер: 426.1 Кб
3 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.