FMMT619

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT619 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURE 3 Low Saturation Voltage 1. BASE MARKING:619 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol 1 2. EMITTER Parameter 2 3. COLLECTOR Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= PBSS4350X (YJ)
 
SOT-89 1000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ 2SC4672G-B-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SD1624G-T-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT619 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURE 3 Low Saturation Voltage 1. BASE MARKING:619 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol 1 2. EMITTER Parameter 2 3. COLLECTOR Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 2 A PC Power Dissipation 0.35 W RθJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 357 ℃/W PCM Maximum Power Dissipation (note 1) 0.625 W RθJA Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 1) 200 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100μA,IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage (note 2) V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA ,IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=40V,IE=0 100 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V,IC=0 100 nA hFE(1) VCE=2V, IC=10mA 200 hFE(2) VCE=2V, IC=0.2A 300 hFE(3) VCE=2V, IC=1A 200 hFE(4) VCE=2V, IC=2A 100 hFE(5) VCE=2V, IC=6A DC current gain (note 2) 40 VCE(sat)1 IC=0.1A,IB=10mA 20 mV VCE(sat)2 IC=1A,IB=10mA 200 mV VCE(sat)3 IC=2A,IB=100mA 220 mV Base-emitter saturation voltage (note 2) VBE(sat) IC=2A,IB=50mA 1 V Base-emitter on voltage (note 2) VBE(on) IC=2A, VCE=2V 1 V VCB=10V, f=1MHz 20 pF Collector-emitter saturation voltage (note 2) Output capacitance Cob Turn-on time t(on) Turn-off time t(off) Transition frequency fT VCC=10V, IC=1A, IB1=-IB2=10mA VCE=10V,IC=50mA, f=100MHz 100 170 ns 750 ns MHz Notes : 1.Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic substrate measuring 15x15x0.6mm. 2. Pulse test: Pulse width≤300μs,duty cycle≤2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на FMMT619 

Microsoft Word - FMMT619_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 620.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)