Вход / Регистрация

MB6S

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD MBS Plastic-Encapsulate Bridge Rectifier MB05S THRU MB10S General P urpose Bridge Rectifier Features MBS MBS ●IF(AV) 1A ● VRRM 50V-1000V ●High surge current capability ● Glass passivated chip Applications ●General purpose 1 phase Bridge rectifier applications Marking ● MBXXS X : From 05 To 10 Item Symbol Unit Conditions 05S 1S ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус MBS
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= MB10S (ANBON)
 

MB10S (ONS-FAIR) 		TO269AA
 
 — — —
P= MB6S (SHIKUES)
 

MB6S (ONS-FAIR) 		MBS
 
 — — —
P= B6S (LRC)
 
—
 
 —
P= MBS6 (TSC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= MB6S (YJ)
 

MB6S (ONS-FAIR) 		SOIC4 в ленте 2500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 600V V(RRM), Silicon
P= B6S (DC)
 
DB1MS в ленте 3000 шт
 
 —
P= MB8S (YJ)
 

MB8S (ONS-FAIR) 		TO269AA в ленте 2500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 800V V(RRM), Silicon
P= MBL8S (YJ)
 
— 4000 шт
 
 Bridge Rectifier, 1 Phase, 0,5A, 800V
P= MB8S (SHIKUES)
 

MB8S (ONS-FAIR) 		MBS
 
 — — —
P= B8S (DC)
 
DB1MS в ленте 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD MBS Plastic-Encapsulate Bridge Rectifier MB05S THRU MB10S General P urpose Bridge Rectifier Features MBS MBS ●IF(AV) 1A ● VRRM 50V-1000V ●High surge current capability ● Glass passivated chip Applications ●General purpose 1 phase Bridge rectifier applications Marking ● MBXXS X : From 05 To 10 Item Symbol Unit Conditions 05S 1S 2S MB 4S 6S 8S 10S 800 1000 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 Maximum RMS Voltage V RMS V 35 70 140 280 420 560 700 Average Rectified Output Current IO A 60Hz sine wave, R-load, Ta=40℃ 1.0 Surge(Nonrepetitive)Forward Current IFSM A 60HZ half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ 35 Current Squared Time Operation Junction and Storage Temperature Range 2 It TJ,Tstg A2S 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode 5.83 -55 ~+150 ℃ Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） Item Symbol Unit Test Condition Max Peak Forward Voltage VFM V IFM=1.0A, Pulse measurement, Rating of per diode 1.0 Peak Reverse Current IRRM μA VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode 10 Between junction and ambient, On alumina substrate 76 Between junction and ambient, On glass-epoxi substrate 134 Between junction and lead 20 RθJ-A ℃/W Thermal Resistance RθJ-L www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на MB05S 

Subject:

Дата модификации: 08.05.2020

Размер: 1.34 Мб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    ABS10 (YJ)