Вход / Регистрация

MJD127

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors MJD127 TO-252-2L TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE High DC Current Gain Electrically Similar to Popular TIP127 Built-in a Damper Diode at E-C 2 2. COLLECTOR 1 3 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -100 V V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ TIP147 (JSCJ)
 
— 1000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors MJD127 TO-252-2L TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE High DC Current Gain Electrically Similar to Popular TIP127 Built-in a Damper Diode at E-C 2 2. COLLECTOR 1 3 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -100 V VCEO Collector-Emitter Voltage -100 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -8 A PC Collector Power Dissipation 1.5 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55-150 ℃ C NPN B C PNP B R1 R1 R2 R1 typ. =5 K R2 E R2 typ. =210 R1 typ. =5 K E R2 typ. =210 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-1mA,IE=0 -100 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-30mA,IB=0 -100 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-10mA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO Collector-emitter cut-off current ICEO Emitter cut-off current IEBO VEB=-5V,IC=0 hFE(1) VCE=-4V,IC=-4A 1000 VCE=-4V,IC=-8A 100 DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage VCB=-100V,IE=0 = VCE = -50V,IB 0 hFE(2) -10 µA -10 µA -2 mA 12000 VCE(sat) 1 * IC=-4A,IB=-16mA -2 V VCE(sat) 2 * IC=-8A,IB=-80mA -4 V IC=-8A,IB=-80mA -4.5 V VCE=-4V,IC=-4A -2.8 V VCB=-10V,IE=0,f=0.1MHz 300 pF VBE(sat) Base-emitter voltage VBE Collector output capacitance Cob * * *Pulse Test: Pulse Width≤380µs, Duty Cycle≤2% www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MJD127 

Microsoft Word - MJD127（TO-251 252）.doc

Дата модификации: 18.01.2024

Размер: 808.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)