MMBT4403

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT4403 SOT-23 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Switching transistor 1. BASE 2. EMITTER MARKING :2T 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ LH8550QLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ 2N4403 (DC)
 

2N4403 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ 2SB892 (JSCJ)
 
1 шт
 
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
 
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
 
A+ LBSS5240LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
A+ LBSS5250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LBTP560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LMBTA55LT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ LBTP660Z4TZHG (LRC)
 
 
A+ LMBTA56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 145 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT4403 SOT-23 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Switching transistor 1. BASE 2. EMITTER MARKING :2T 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -600 mA PC Collector Power Dissipation 300 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 417 ℃/W -55~+150 ℃ RΘJA Tj,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-100μA,IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100μA ,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-35V,IE=0 -0.1 μA Collector cut-off current ICEX VCE=-35V, VBE=0.4V -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=-4V,IC=0 -0.1 μA hFE1 VCE=-1V, IC=-0.1mA hFE2 VCE=-1V, IC=-1mA 0 hFE3 VCE=-1V, IC=-10mA 0 hFE4 VCE=-2V, IC=-150mA 100 hFE5 VCE=-2V, IC=-500mA 0 DC current gain Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Base-emitter saturation voltage VBE(sat) 300 IC=-150mA,IB=-15mA -0.4 V IC=-500mA,IB=-50mA -0.75 V IC=-150mA,IB=-15mA -0.95 V IC=-500mA,IB=-50mA -1.3 V Transition frequency fT VCE=-10V, IC=-20mA,f =100MHz Delay time td VCC=-30V, VBE(off)=-0.5V Rise time tr Storage time ts Fall time tf www.jscj-elec.com 0 200 MHz 15 Qs IC=-150mA , IB1=-15mA 20 Qs VCC=-30V, IC=-150mA 225 Qs IB1=IB2=-15mA 0 Qs 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT4403 

Microsoft Word - MMBT4403_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 820.5 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    позавчера
    новость

    Зарядные станции электротранспорта на основе компонентов JSCJ

    Стремительный рост электротранспортной индустрии требует постоянного совершенствования зарядной инфраструктуры. Время зарядки аккумуляторов – очень важный фактор эффективности, ведь его скорость позволяет компенсировать ограниченный запас хода и... ...читать

    07 июня
    новость

    Высокопроизводительный частотный преобразователь на базе компонентов JSCJ

    Благодаря постоянному развитию промышленной автоматизации, расширению областей применения и все более широкому использованию электроприводов с частотными преобразователями технология их создания также постоянно совершенствуется и развивается. В... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.