MMBT4403

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT4403 SOT-23 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Switching transistor 1. BASE 2. EMITTER MARKING ：2T 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N4403 (DC)
 

2N4403 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SB892 (JSCJ)
 
— 1 шт
 
 — — — —
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ LBSS5240LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
A+ LBSS5250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LBTP560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LH8550QLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ LMBTA56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 145 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ LBTP660Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ LMBTA55LT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT4403 SOT-23 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Switching transistor 1. BASE 2. EMITTER MARKING ：2T 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -600 mA PC Collector Power Dissipation 300 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 417 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA Tj,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-100μA,IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100μA ,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-35V,IE=0 -0.1 μA Collector cut-off current ICEX VCE=-35V, VBE=0.4V -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=-4V,IC=0 -0.1 μA hFE1 VCE=-1V, IC=-0.1mA hFE2 VCE=-1V, IC=-1mA 0 hFE3 VCE=-1V, IC=-10mA 0 hFE4 VCE=-2V, IC=-150mA 100 hFE5 VCE=-2V, IC=-500mA 0 DC current gain Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Base-emitter saturation voltage VBE(sat） 300 IC=-150mA,IB=-15mA -0.4 V IC=-500mA,IB=-50mA -0.75 V IC=-150mA,IB=-15mA -0.95 V IC=-500mA,IB=-50mA -1.3 V Transition frequency fT VCE=-10V, IC=-20mA,f =100MHz Delay time td VCC=-30V, VBE(off)=-0.5V Rise time tr Storage time ts Fall time tf www.jscj-elec.com 0 200 MHz 15 Qs IC=-150mA , IB1=-15mA 20 Qs VCC=-30V, IC=-150mA 225 Qs IB1=IB2=-15mA 0 Qs 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT4403 

Microsoft Word - MMBT4403_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 820.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)