S9012W

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors S9012W SOT-323 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complementary to S9013W z Excellent hFE linearity z 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: 2T1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEB...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors S9012W SOT-323 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complementary to S9013W z Excellent hFE linearity z 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: 2T1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -500 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Test conditions Min Typ Max Unit Parameter Symbol Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= -100μA, IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1mA, IB=0 -25 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-40V, IE=0 -0.1 μA Collector cut-off current ICEO VCE=-20V, IB=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= -5V, IC=0 -0.1 μA DC current gain hFE VCE=-1V, IC= -50mA Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-500mA, IB= -50mA -0.6 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-500mA, IB= -50mA -1.2 V Transition frequency fT Collector output capacitance Cob VCE=-6V, IC= -20mA, f=30MHz 120 400 150 MHz VCB=-10V,IE=0,f=1MHz 5 pF CLASSIFICATION OF hFE Rank L H J Range 120-200 200-350 300-400 www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на S9012W 

Microsoft Word - S9012_SOT-23_.doc

Дата модификации: 15.05.2020

Размер: 785.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)