SBDB20H200CTB

Диод выпрямительный на напряжение до 200 В, с падением напряжения 900 мВ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2632L
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBR20200CD (YJ)
 
TO252 в ленте 10000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-252
P= MBRB20200CT (YJ)
 
TO263 в ленте 2000 шт
 
P= MBR10200CG (ANBON)
 
 
P= MBR20200CG (ANBON)
 
 
P= MURB2020CT (YJ)
 
TO263 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate Diodes SBDB20H200CTB SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER MAIN CHARACTERISTICS IO VRRM 20(2×10)A 200 V Tj 175 ℃ VF(typ) 0.67V (@Ta=150℃) TO-263-2L 1. ANODE FEATURES 2. CATHODE  Low Power Loss,High Efficiency  Guard Ring Die Construction for Transient Protection  High Current Capability and Low Forward Voltage Drop 1 1 MARKING SBD B20H200CTB XXXX 2 3. ANODE 2 3 SBDB20H200CTB = Device code Solid dot = Green molding compound device if none, the normal device XXXX = Code 3 MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Parameter VRRM Peak repetitive reverse voltage VRWM Working peak reverse voltage Value Unit 200 V VR DC blocking voltage VR(RMS) RMS reverse voltage 140 V Average rectified output current 20 A IFSM Non-Repetitive peak forward surge current (8.3ms half sine wave) 200 A RΘJC Thermal resistance from junction to case ,Tc=25℃ 2.0 ℃/W RΘJA Thermal resistance from junction to ambient 62.5 ℃/W Tj Junction temperature 175 ℃ Tstg Storage temperature -55~+175 ℃ IO ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse voltage Reverse current Symbol Test conditions V(BR) = IR 0.1mA IR VR=200V IF=5A Forward voltage VF IF=10A Min Typ Max 200 Unit V Tj =25℃ 0.1 0.5 X$ Tj =150℃ 0.1 mA Tj =25℃ 0.78 V Tj =150℃ 0.60 V Tj =25℃ 0.84 Tj =150℃ 0.67 0.90 V V *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на SBDB20H200CTB 

Microsoft Word - MBR2060FCT TO-220F_A_.doc

Дата модификации: 31.08.2021

Размер: 4.18 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.