MBR20200CT

Shikues
Диод выпрямительный на напряжение до 200 В, ток до 20 А, с падением напряжения 920 мВ, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBR20200CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P= SBD20200CT (JSCJ)
 
TO2203L
 
 — — —
P= MBR10200 (ANBON)
 
TO220AC
 
 — — — — — — — — — — —
P= MBR20200CG (ANBON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
P= MBR20200CD (YJ)
 
TO252 в ленте 10000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-252
P= SBDB20H200CTB (JSCJ)
 
TO2632L 800 шт
 
 — — — — — — — —
P= MBRB20200CT (YJ)
 
TO263 в ленте 2000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
MBR2040CT/TF THRU MBR20200CT/TF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS Reverse Voltage - 40 to 200 V Forward Current - 20 A FEATURES • High current capability • Low forward voltage drop • Low power loss, high efficiency • High surge capability • High temperature soldering guaranteed • Mounting position: any A1 A1 K A2 K A2 TO-220F TO-220 Mechanical data • Case: TO-220 • A pprox. Weight: 1.9g ( 0.067oz) • Case: TO-220F • A pprox. Weight: 2.1g ( 0.07oz) • Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202, Method 208 A1 K A2 MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified TO-220 MBR2040C T MBR2045C T MBR2060C T MBR20100C T MBR20150CT MBR20200CT CHARACTERISTICS Units TO-220F MBR2040CTF MBR2045CTF MBR2060CTF MBR20100CTF MBR20150CTF MBR20200CTF Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage V RRM 40 45 60 100 150 200 V Maximum RMS voltage V RMS 28 31.5 42 70 105 140 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 40 45 60 100 150 200 V per diode per device I F(AV) 10 20 A Peak Forward Surge Current,8.3ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) per diode I FSM 150 A Maximum Average Forward Rectified Current Max Instantaneous Forward Voltage at 10 A(per diode) Maximum DC Reverse Current T a = 25°C at Rated DC Reverse Voltage T a =125°C Typical Junction Capacitance （1） Typical Thermal Resistance （2） Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range VF 0.70 0.90 0.92 0.05 20 600 V mA pF 400 °C/W 45 RθJA Tj -55 ~ +150 -55 ~ +175 °C T stg -55 ~ +150 -55 ~ +175 °C （1）Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C （2）P.C.B. mounted with 10cmX10cmX1mm copper pad areas. REV.08 0.85 0.1 20 IR Cj 0.75 1 of 3 PDF
Документация на MBR20100CT 

TO220AB ITO220AB-S-MBR2040xCT~MBR20200xCT-20A200V-102mil.cdr

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 309.4 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)