UMT2N

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors UMT2N DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURES Two 2SA1037AK chips in SOT-363 package MARKING: T2 Absolute maximum ratings (Ta=25℃) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ UMT1N (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
 
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
 
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
 
A+ EMT1 (JSCJ)
 
SOT-563 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SA1873 (JSCJ)
 
SOT353
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.