APTR3216P3BT

APTR3216P3BT Phototransistor DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS Made with NPN silicon phototransistor chips FEATURES 3.2 mm x 1.6 mm SMD LED,1.05 mm thickness Mechanically and spectrally matched to the infrared emitting LED lamp Package: 2000 pcs / reel Moisture sensitivity level: 3 RoHS compliant APPLICATIONS Infrared applied systems Optoelectronic switches Photodetector control circuits Senso...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
λ максимальной чувствительности
Спектральная область чувствительности
Поле зрения
Максимальный ток коллектора
Примечания Photo Transistor; поверхностный; 1206 (3216 Metric)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на APTR3216P3BT 

APTR3216P3BT(Ver.3)

Дата модификации: 25.12.2018

Размер: 218.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.