LBAV74LT1G

LRC
Диод выпрямительный на напряжение до 50 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1 В, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAV70 (YJ)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAV74 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 0.2A, 50V V(RRM)
P= MMBD4148CC (ANBON)
 

MMBD4148CC (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAV74 SOT-23 (JSCJ)
 
— в ленте 114 шт
 
 —
P= MMBD4148CC (JSCJ)
 

MMBD4148CC (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 0.2A, 75V V(RRM)
P= BAV70 (DC)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 —
P= LBAV70LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- BAV70 (SHIKUES)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Monolithic Dual Switching Diode LBAV74LT1G S-LBAV74LT1G Featrues z We declare that the material of product compliance with RoHS 3 requirements. z S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 1 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 2 SOT–23 ORDERING INFORMATION 1 ANODE Device Marking Shipping LBAV74LT1G S-LBAV74LT1G JA 3000/Tape&Reel LBAV74LT3G S-LBAV74LT3G JA 10000/Tape&Reel 3 CATHODE 2 ANODE MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE) Rating Reverse Voltage Forward Current Symbol VR IF Value 50 200 Unit Vdc mAdc Peak Forward Surge Current I FM(surge) 500 mAdc Symbol Max Unit PD 225 mW R θJA PD 1.8 556 300 mW/°C °C/W mW R θJA T J , T stg 2.4 417 –55 to +150 mW/°C °C/W °C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR– 5 Board (1) T A = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) T A = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) ( EACH DIODE ) Characteristic Symbol Min Max Unit 50 — Vdc — — 100 0.1 — 2.0 — 1.0 — 4.0 OFF CHARACTERISTICS Reverse Breakdown Voltage V (BR) (I (BR) = 5.0 µAdc) Reverse Voltage Leakage Current IR (V R = 50 Vdc, T J = 125°C) (V R = 50Vdc) Diode Capacitance CD (V R = 0, f = 1.0 MHz) Forward Voltage VF (I F = 100 mAdc) Reverse Recovery Time t rr (I F=IR=10mAdc, IR(REC)=1.0mAdc, measured at IR= 1.0 mA, RL=100Ω) 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. µAdc pF Vdc ns Rev.O 1/3 PDF
Документация на LBAV74LT1G 

Дата модификации: 20.08.2012

Размер: 89.7 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)