LBTN560Y3T1G
LBTN560Y3T1G
S-LBTN560Y3T1G
NPN transistor
1
2
1. FEATURES
3
●
Low collector-emitter saturation voltage.
●
High collector current capability.
●
High collector current gain.
●
High efficiency due to less heat generation.
●
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area.
●
We declare that the material of product compliance with
SOT89
2
RoHS requirements and Halogen Free.
●
1...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: SOT-89
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-89 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | 2SD1691L TO-220 (UTC) | TO220B | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | 2SD1816L-R-TN3-R (UTC) | — |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | 2SD1816L-S-TM3-T (UTC) | TO-251-3 | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | 2SD1816L-S-TN3-R (UTC) | — |
| — | — | — | — | |||||||||
A+ | PZT1816G-S-AA3-R (UTC) | — |
| — | — | — | — | |||||||||
A+ | UP1753G-AA3-R (UTC) | — | 1 шт |
| — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.