LBTP560Y3T1G
LBTP560Y3T1G
S-LBTP560Y3T1G
PNP transistor
1
2
1. FEATURES
3
●
Low collector-emitter saturation voltage.
●
High collector current capability.
●
High collector current gain.
●
High efficiency due to less heat generation.
●
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area.
●
We declare that the material of product compliance with
SOT89
2
RoHS requirements and Halogen Free.
●
S...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: SOT-89
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-89 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.