EE-SA102

Omron
Датчик положения оптический - Режим: просвет; Выход: фототранзистор; Расстояние: 3 мм; Монтаж: на плату, выводной; Ток излучателя: 50 мА; U out: 30 В
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Actuator Mounted) EE-SA102 Be sure to read Precautions on page 25. ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • An actuator can be attached. • PCB mounting type. • High resolution with a 0.5-mm-wide aperture. 17 ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item 6 Emitter 0.5±0.1 13.5 Optical axis 11 Two, R1 Detector 6.2±0.5 2.5 Two, 0.7 Four, 0.25 1.25±0.1 Four, 0.5 Cross section AA Cross section BB Internal Circuit Ambient temperature 5±0.1 K C Symbol IF 50 mA (see note 1) Pulse forward current IFP 1A (see note 2) Reverse voltage VR 4V Collector–Emitter voltage VCEO 30 V Emitter–Collector voltage VECO --- Collector current IC 20 mA Collector dissipation PC 100 mW (see note 1) Operating Topr –25°C to 85°C Storage Tstg –30°C to 100°C Tsol 260°C (see note 3) Soldering temperature 0 Two, 0.7−0.1 dia. 60° 1.8+0.1 −0.05dia. Two, R0.2 A E R3 0.4 3 Terminal No. Name A K C Anode Cathode Collector E Emitter Two, R0.2 Two, R0.2 0.5 Rated value Forward current Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. The pulse width is 10 μs maximum with a frequency of 100 Hz. 3. Complete soldering within 10 seconds. Part C Unless otherwise specified, the tolerances are ±0.2 mm. ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Forward voltage Symbol Value VF 1.2 V typ., 1.5 V max. Condition IF = 30 mA Reverse current IR 0.01 μA typ., 10 μA max. VR = 4 V Peak emission wavelength λP 940 nm typ. IF = 20 mA Light current IL 0.5 mA min., 14 mA max. IF = 20 mA, VCE = 10 V Dark current ID 2 nA typ., 200 nA max. VCE = 10 V, 0 lx Leakage current ILEAK --- --- Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) 0.1 V typ., 0.4 V max. IF = 20 mA, IL = 0.1 mA Peak spectral sensitivity wavelength λP 850 nm typ. VCE = 10 V Rising time tr 4 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 5 mA Falling time tf 4 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 5 mA Detector 98 EE-SA102 Photomicrosensor (Actuator Mounted) PDF
Документация на серию EE-SA102 

Micro Sensing Device Data Book

Дата модификации: 15.06.2009

Размер: 111.4 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0721DS (KGB)