EE-SJ8-B

Omron
Датчик положения оптический - Режим: просвет; Выход: фототранзистор; Расстояние: 8 мм; Монтаж: на плату, выводной; Ток излучателя: 50 мА; U out: 30 В
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания SENSOR OPTO SLOT 8MM TRANS THRU
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SJ8-B ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • • • • 0.3 6.5 0.5 18-mm-tall model with a deep slot. PCB mounting type. High resolution with a 0.5-mm-wide aperture. RoHS Compliant. ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 20 C-1 8 0.5 2.1 B 0.2 Item 0.5 2.1 A Emitter 18±0.2 15±0.2 3.5 3 min. B A 4 Four, 0.25 1.94 13.9±0.3 Cross section BB Detector Four, 0.5 0.8 Cross section AA 0.8 K C 1.2 3.2 1.2 A E (11.9) Internal Circuit C K A Terminal No. Unless otherwise specified, the tolerances are as shown below. Dimensions E Name A K C Anode Cathode Collector E Emitter Tolerance 3 mm max. ±0.3 3 < mm ≤ 6 ±0.375 6 < mm ≤ 10 ±0.45 10 < mm ≤ 18 ±0.55 18 < mm ≤ 30 ±0.65 Symbol Forward current Rated value 50 mA (see note 1) IF Pulse forward current IFP 1 A (see note 2) Reverse voltage VR 4V Collector–Emitter voltage VCEO 30 V Emitter–Collector voltage VECO --- Collector current IC 20 mA Collector dissipation PC 100 mW (see note 1) Ambient Operating temperature Storage Topr –25°C to 85°C Tstg –30°C to 100°C Soldering temperature Tsol 260°C (see note 3) Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. The pulse width is 10 µs maximum with a frequency of 100 Hz. 3. Complete soldering within 10 seconds. ■ Ordering Information Description Model Photomicrosensor (transmissive) EE-SJ8-B ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Detector Forward voltage Symbol Value Condition VF 1.2 V typ., 1.5 V max. IF = 30 mA Reverse current IR 0.01 µA typ., 10 µA max. VR = 4 V Peak emission wavelength λP 940 nm typ. IF = 20 mA Light current IL 0.05 mA min., 5 mA max. IF = 20 mA, VCE = 10 V Dark current ID 2 nA typ., 200 nA max. VCE = 10 V, 0 lx Leakage current ILEAK --- --- Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) --- --- Peak spectral sensitivity wavelength λP 850 nm typ. VCE = 10 V Rising time tr 4 µs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 5 mA Falling time tf 4 µs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 5 mA 278 Photomicrosensor (Transmissive) EE-SJ8-B PDF
Документация EE-SJ8-B 

68_sj8_b.fm

Дата модификации: 16.03.2005

Размер: 87 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0721DS (KGB)