EE-SK3W-B

Omron
Датчик положения оптический - Режим: просвет; Выход: фототранзистор, дарлингтон; Расстояние: 3 мм; Монтаж: на плату, выводной; Ток излучателя: 15 мА; U out: 24 В
развернуть ▼ свернуть ▲
Фотография EE-SK3W-B

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor EE-SK3W-B (Transmissive) Dimensions Note: Features • • • All units are in millimeters unless otherwise indicated. 18.8 15.8 0.8 PCB mounting type. With a red LED as an emitter element and a Photo-Darlington transistor as a detector element. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 0.8 3.2 dia. hole 0.8 General-purpose model with a 3-mm-wide slot. 0.8 Item Emitter 7.2±0.2 6 min. Four, 0.45 Four, 0.45 2.54±0.2 Cross section BB Detector Cross section AA A E Terminal No. A K Name Anode Cathode C E Collector Emitter Tolerance 3 mm max. ±0.3 3 t mm v 6 ±0.375 6 t mm v 10 ±0.45 10 t mm v 18 ±0.55 18 t mm v 30 ±0.65 IF 15 mA (see note 1) Pulse forward current IFP --- Reverse voltage VR 4V Collector–Emitter voltage VCEO 24 V Emitter–Collector voltage VECO --20 mA PC 75 mW (see note 1) Operating Topr –20°C to 60°C Storage Tstg –20°C to 80°C Soldering temperature Tsol 260°C (see note 2) Ambient temperature Dimensions Forward current Collector dissipation C Unless otherwise specified, the tolerances are as shown below. Rated value Collector current IC Internal Circuit K Symbol Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. Complete soldering within 10 seconds. Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Symbol Value Condition Forward voltage VF 2.0 V typ., 2.6 V max. IF = 15 mA Reverse current IR 0.01 µA typ., 5 µA max. VR = 4 V Peak emission wavelength λP 700 nm typ. IF = 3 mA Light current IL 1.5 mA min., 120 mA max. IF = 3 mA, VCE = 10 V Dark current ID 2 nA typ., 250 nA max. VCE = 10 V, 0 ȏx Leakage current ILEAK --- --- Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) 0.9 V typ. IF = 3 mA, IL = 0.5 mA Peak spectral sensitivity wavelength λP 800 nm typ. VCE = 10 V Rising time tr 180 µs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 10 mA Falling time tf 60 µs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 10 mA Detector 148 PDF
Документация EE-SK3W-B 

Document:

Дата модификации: 13.02.2002

Размер: 220.4 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0721DS (KGB)