EE-SM3B

Omron
Датчик положения оптический - Режим: просвет; Выход: фототранзистор, дарлингтон; Расстояние: 3 мм; Монтаж: на плату, выводной; Ток излучателя: 15 мА; U out: 24 В
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SM3B (To be discontinued April 2006) ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • General-purpose model with a 3-mm-wide slot. • PCB mounting type. • With a red LED as an emitter element and a Photo-Darlington transistor as a detector element. Two, 3.2±0.2 dia. holes Two, C1.7 ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 19±0.15 Item Four, 0.45 6.5±0.2 15 mA (see note 1) Pulse forward current IFP --- Reverse voltage VR 4V Collector–Emitter voltage VCEO 24 V Emitter–Collector voltage VECO --- Collector current IC 20 mA Collector dissipation PC 75 mW (see note 1) Ambient Operating temperature Storage Topr –20°C to 60°C Tstg –20°C to 80°C Soldering temperature Tsol 260°C (see note 2) Detector Four, 0.45 2.54±0.2 Cross section BB Cross section AA Internal Circuit K C Unless otherwise specified, the tolerances are as shown below. A Terminal No. A K C E E Name Anode Cathode Collector Emitter Dimensions ±0.3 3 < mm ≤ 6 ±0.375 6 < mm ≤ 10 ±0.45 10 < mm ≤ 18 ±0.55 18 < mm ≤ 30 Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. Complete soldering within 10 seconds. Tolerance 3 mm max. Rated value IF 7.2±0.2 6 min. Symbol Forward current Emitter ■ Ordering Information Description Model Photomicrosensor (transmissive) ±0.65 EE-SM3B ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Detector Forward voltage Symbol Value Condition VF 2.0 V typ., 2.6 V max. IF = 15 mA VR = 4 V Reverse current IR 0.01 µA typ., 5 µA max. Peak emission wavelength λP 700 nm typ. IF = 3 mA Light current IL 1.5 mA min., 120 mA max. IF = 3 mA, VCE = 10 V Dark current ID 2 nA typ., 250 nA max. VCE = 10 V, 0 lx Leakage current ILEAK --- --- Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) 0.9 V typ. IF = 3 mA, IL = 0.5 mA Peak spectral sensitivity wavelength λP 800 nm typ. VCE = 10 V Rising time tr 180 µs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 10 mA Falling time tf 60 µs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 10 mA 202 Photomicrosensor (Transmissive) EE-SM3B PDF
Документация EE-SM3B 

74_sm3b.fm

Дата модификации: 16.03.2005

Размер: 230.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0721DS (KGB)