2SC5516

Panasonic Industrial Europe GmbH
Power Transistors 2SC5516 Silicon NPN triple diffusion mesa type Unit: mm 15.5±0.5 φ 3.2±0.1 VCES VCEO Emitter to base voltage VEBO Peak collector current ICP Collector current IC Base current IB Collector power dissipation TC = 25°C PC Ta = 25°C Unit Storage temperature Tstg (23.4) (2.0) 18.6±0.5 (2.0) Solder Dip 0.7±0.1 1 500 V 1 500 V 600 V 7 V 30 A 20 A 8...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3 TO-220AB
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Power Transistors 2SC5516 Silicon NPN triple diffusion mesa type Unit: mm 15.5±0.5 φ 3.2±0.1 VCES VCEO Emitter to base voltage VEBO Peak collector current ICP Collector current IC Base current IB Collector power dissipation TC = 25°C PC Ta = 25°C Unit Storage temperature Tstg (23.4) (2.0) 18.6±0.5 (2.0) Solder Dip 0.7±0.1 1 500 V 1 500 V 600 V 7 V 30 A 20 A 8 A 70 W 5˚ 150 °C −55 to +150 °C 1 2 3 1 : Base 2 : Collector 3 : Emitter TOP-3E-A1 Package Internal Connection C B E ue Tj 1.1±0.1 10.9±0.5 3.5 Junction temperature 5˚ 5.5±0.3 VCBO Collector to emitter voltage (4.0) 2.0±0.2 (2.0) Collector to base voltage 5˚ 5˚ 5.45±0.3 Rating 3.3±0.3 Symbol 3.0±0.3 5˚ d pla inc ne lud se pla m d m es v ne ain ain foll htt isit d te t o p:/ fo /w llo dis disc nan enan wing ww wi co on ce c fo .se ng ntin tin ty e ty ur mi UR ue ued pe pe Pro co L a d t ty du n.p bo yp pe ct life an ut e d as lat cy on es cle ic. t in sta co fo ge .jp rm . /en at i o / n. ■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C Parameter (1.2) M Di ain sc te on na tin nc ue e/ d • High breakdown voltage, and high reliability through the use of a glass passivation layer • High-speed switching • Wide area of safe operation (ASO) (4.5) ■ Features 26.5±0.5 (10.0) 5˚ 22.0±0.5 For horizontal deflection output on tin ■ Electrical Characteristics TC = 25°C Symbol isc an Emitter cutoff current ICBO ce /D Collector cutoff current int en Forward current transfer ratio Ma Collector to emitter saturation voltage Base to emitter saturation voltage IEBO hFE Conditions Min Typ Max Unit VCB = 1 000 V, IE = 0 50 µA VCB = 1 500 V, IE = 0 1 mA 50 µA VEB = 7 V, IC = 0 VCE = 5 V, IC = 10 A 7 14 VCE(sat) IC = 10 A, IB = 2.5 A 3 V VBE(sat) IC = 10 A, IB = 2.5 A 1.5 V Transition frequency fT Storage time tstg Fall time tf Pl ea Parameter VCE = 10 V, IC = 0.1 A, f = 0.5 MHz IC = 10 A, IB1 = 2.5 A, IB2 = −5.0 A 3 MHz 2.7 µs 0.2 µs 259 PDF
Документация на 2SC5516 

2SC5516 SJD00153AED

Дата модификации: 29.11.2011

Размер: 175.4 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    MMBT5401 (YJ)