MMBT5401

High Voltage PNP Bipolar Transistor
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= FMMT593 (JSCJ)
 

FMMT593 (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= LMBT5401LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
P= MMBT5401 (SHIKUES)
 

MMBT5401 (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
P= MMBT5401 (JSCJ)
 

MMBT5401 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT5401 (YOUTAI)
 

MMBT5401 (ONS-FAIR)
450 шт
 
A+ 2SB1188-Q (YJ)
 
SOT-89
 
A+ 2SB1188-R (YJ)
 
SOT-89
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.